المنزل > منتجات >

Shenzhen Potting Compound Factory 1:1 Low Viscosity RTV Silicone Potting Compound for IGBT Power Module

Name: Shenzhen Potting Compound Factory 1:1 Low Viscosity RTV Silicone Potting Compound for IGBT Power Module
Brand: Shenzhen Hanast New Material co.,LTD
SKU: HN-8806 أ/ب
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	شنتشن، قوانغدونغ، الصين
اسم العلامة التجارية:	HANAST
إصدار الشهادات:	RoHS, REACH, UL94 V-0, SDS available
رقم الموديل:	HN-8806 أ/ب

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنتشن، قوانغدونغ، الصين

اسم العلامة التجارية:

HANAST

إصدار الشهادات:

RoHS, REACH, UL94 V-0, SDS available

رقم الموديل:

HN-8806 أ/ب

نموذج:

HN-8806 أ/ب

يكتب:

مركب تأصيص سيليكون موصل حراري مكون من مكونين (RTV).

نسبة مزيج:

1: 1 بالوزن

وعاء الحياة:

18-24 دقيقة عند 25 درجة مئوية

جدول العلاج:

درجة حرارة الغرفة 2-3 ساعات (أولية)؛ تسارعت 80 درجة مئوية لمدة 12 دقيقة

المظهر (قبل الخلط):

المكون (أ) سائل أبيض / المكون (ب) سائل رمادي

المظهر (الشفاء):

المطاط الصناعي الرمادي

اللزوجة:

2000-3000 مللي باسكال عند 25 درجة مئوية

كثافة:

1.60 +/- 0.05 جم/سم3

صلابة:

شور أ 45 +/- 5

الموصلية الحرارية:

>=0.76 واط/م ك

مقاومة الحجم:

1.0 × 10^16 أوم.سم

قوة عازلة:

25-30 كيلو فولت/مم

تثبيط اللهب:

UL94 V-0

درجة حرارة التشغيل:

-50 درجة مئوية إلى 250 درجة مئوية

مصنع الموقع:

شنتشن، قوانغدونغ، الصين

طلب:

وحدة طاقة IGBT، وكومة شحن EV، وحزمة البطارية، ومحول الجهد العالي

امتثال:

بنفايات، الوصول؛ SDS متاح

تصنيف السلامة:

غير خطرة (كيميائية عامة)

التعبئة والتغليف:

50 كجم/مجموعة (25 كجم أ + 25 كجم ب)

مدة الصلاحية:

6 أشهر

إبراز:

High Light

إبراز:

1:1 Low Viscosity RTV Potting Compound

IGBT Power Module Encapsulant

EV Charging Pile Silicone Potting Gel

معلومات التداول

الحد الأدنى لكمية:

1 كجم

تفاصيل التغليف:

50 كجم/مجموعة (25 كجم برميل أ + 25 كجم برميل ب)، حاويات محكمة الغلق، يتم شحنها عن طريق الجو أو البحر

وقت التسليم:

3-5 أيام عمل للعينات، 7-15 يوما للطلبات بالجملة

شروط الدفع:

/ تي تي، ل / c، ويسترن يونيون، بايبال

القدرة على العرض:

120 طن شهريا

وصف المنتج

HANAST HN-8806 A/B 1:1 Low Viscosity RTV Silicone Potting Compound for IGBT Power Module HN-8806 A/B is a two-component 1:1 RTV silicone potting compound developed for IGBT power module encapsulation and EV charging pile electronics protection. Produced by our Shenzhen potting compound factory in Guangdong, China, it flows readily for complete under-fill around IGBT modules and dense power assemblies, then cures at room temperature or by heating into a high-performance grey

التقييمات والمراجعات

التصنيف العام

5.0

بناءً على 50 تقييمًا لهذا المورد

لقطة تقييم

فيما يلي توزيع جميع التصنيفات

5 النجوم

100%

4 النجوم

3 النجوم

2 النجوم

1 النجوم

جميع المراجعات

I*y

India Aug 6.2026

مفيدة (10)

Our technical department speaks highly of this silicone gel for electronics,very suitable for our flow maters; we have collaborated three times already and will continue to work together in the future.

العلامات:

Shenzhen Potting Compound Factory 1:1 Low Viscosity RTV Silicone Potting Compound for IGBT Power Module

High Light

إبراز:

1:1 Low Viscosity RTV Potting Compound

IGBT Power Module Encapsulant

EV Charging Pile Silicone Potting Gel

التصنيف العام

لقطة تقييم

جميع المراجعات

غيل السيليكون الإلكتروني,هلام إلكتروني للعباءات,مطاط الجيل السيليكوني,

electronic potting gel,

silicone gel rubber

10:1 Soft 25 Shore A Two Part China Silicone Potting Gel RT Cure for Solar Inverter Household Appliance

Shenzhen Potting Compound Factory 10:1 RTV Silicone for Circuit Board Sealing Power Supply

China Potting Compound Factory 10:1 Low Viscosity RTV Silicone Potting Compound for Sensor Automotive

Guangdong Potting Compound Factory HN-8808AB Transparent RTV Silicone Potting Compound for LED Waterproof Encapsulation

China Potting Compound Factory HN-8806AB 1:1 Thermal Conductive RTV Silicone Potting Compound for 5G Base Station

Guangdong Potting Compound Factory 1:1 Waterproof Silicone Electronic Potting Gel for Solar Inverter BESS

China Potting Compound Factory 1:1 UL94 V-0 Flame Retardant RTV Silicone Potting Compound for LED Driver