HN-8808 là2 thành phần RTV silicon loại điệnĐược thiết kế cho điện tử truyền thông tần số cao và bộ cảm biến chính xác.độ nhớt thấp 2000 mPa*sthâm nhập PCB chặt chẽ, trong khi2.5-3.0 hằng số dielectric ở 1 MHzvà ≤4*10−3 yếu tố mất tích bảo vệ tính toàn vẹn tín hiệu trongCác mô-đun RF của trạm cơ sở 5G. Chất liệu bảo quản đến một loại gel Shore A 25 linh hoạt bảo vệ chống lại rung động, độ ẩm và sốc nhiệt ở nhiệt độ từ -57 °C đến 250 °C.
Đánh giá chung
Ảnh chụp nhanh về xếp hạng
Sau đây là phân phối của tất cả các xếp hạngTất cả các đánh giá