Shenzhen Hanast New Material co.,LTD
উদ্ধৃতি
বাড়ি > পণ্য >
ইপোক্সি পটিং যৌগ
>
IGBT SiC পাওয়ার মডিউল এনক্যাপসুলেশনের জন্য উচ্চ ভোল্টেজ স্বচ্ছ 5:1 ইপোক্সি পটিং কম্পাউন্ড

IGBT SiC পাওয়ার মডিউল এনক্যাপসুলেশনের জন্য উচ্চ ভোল্টেজ স্বচ্ছ 5:1 ইপোক্সি পটিং কম্পাউন্ড

পণ্যের বিবরণ:
উৎপত্তি স্থল: গুয়াংডং, চীন
পরিচিতিমুলক নাম: Hanast
সাক্ষ্যদান: RoHS
মডেল নম্বার: এইচএন -5508 এএবি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
গুয়াংডং, চীন
পরিচিতিমুলক নাম:
Hanast
সাক্ষ্যদান:
RoHS
মডেল নম্বার:
এইচএন -5508 এএবি
মিশ্র অনুপাত:
5: 1 ওজন দ্বারা
অস্তরক শক্তি:
25 কেভি/মিমি
ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা:
4.3 x 10^15 Ohm.cm
কঠোরতা:
তীরে ডি 80
গ্লাস ট্রানজিশন টেম্প:
Tg > 90 °C
পরিষেবার তাপমাত্রা:
-60 থেকে 135 ডিগ্রি সেলসিয়াস
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

High Light

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

High Voltage Transparent Potting Epoxy

,

IGBT SiC Power Module Encapsulant

,

DC-Link Capacitor Potting Resin

ট্রেডিং তথ্য
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:
1 কেজি
প্যাকেজিং বিবরণ:
30 কেজি সেট (A এর 25 কেজি প্যাল ​​+ B এর 5 কেজি প্যাল); 25 কেজি ব্যারেল এবং 200 কেজি ড্রামও পাওয়া য
ডেলিভারি সময়:
নমুনার জন্য 3-5 কার্যদিবস, বাল্ক অর্ডারের জন্য 7-15 দিন
পরিশোধের শর্ত:
টি/টি, এল/সি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন, পেপ্যাল
যোগানের ক্ষমতা:
প্রতি মাসে 50 টন
পণ্যের বর্ণনা
HN-5508AB উচ্চ ভোল্টেজ উচ্চ স্বচ্ছতা 5:1 ইপোক্সি পটিং কম্পাউন্ড

HN-5508AB একটি দুই-উপাদান, উচ্চ স্বচ্ছতাযুক্ত ইপোক্সি পটিং কম্পাউন্ড যার ওজন অনুপাতে 5:1 মিশ্রণ অনুপাত, উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার মডিউল এনক্যাপসুলেশনের জন্য তৈরি করা হয়েছে। নিরাময় করা কম্পাউন্ড 25 kV/mm ডাইইলেকট্রিক শক্তি, 4.3 * 10¹⁵ Ω·cm এর ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা, 90°C এর উপরে Tg এবং -60 থেকে 135°C পরিষেবা পরিসীমার উপর 6.1 * 10⁻⁵ সেমি/কে এর নিচে রৈখিক প্রসারণের সহগ সরবরাহ করে, তাই IGBT এবং SiC মডিউল, DC-লিঙ্ক ক্যাপাসিটর ব্যাংক এবং বাসবার অ্যাসেম্বলি পাওয়ার সাইক্লিংয়ের মাধ্যমে তাদের অন্তরক এবং যান্ত্রিক অখণ্ডতা বজায় রাখে। যেহেতু রেজিন স্বচ্ছ থাকে, ডাই অ্যাটাচ, সোল্ডার জয়েন্ট এবং বাসবার সংযোগগুলি পরিদর্শনযোগ্য থাকে এবং মডিউলটি তার হাউজিংয়ে পট করার আগে অসম্পূর্ণ ফিলিং দৃশ্যমান হয়।

মূল বৈশিষ্ট্য
  • উচ্চ DC বাস ভোল্টেজ মডিউলগুলির জন্য 25 kV/mm ডাইইলেকট্রিক শক্তি
  • কম লিকেজ কারেন্ট সহ ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা 4.3 * 10¹⁵ Ω·cm
  • পাওয়ার সাইক্লিং নির্ভরযোগ্যতার জন্য 90°C এর উপরে Tg এবং 6.1 * 10⁻⁵ সেমি/কে এর নিচে CTE
  • -60 থেকে 135°C পরিষেবা পরিসীমা, লিকুইড-কুলড অ্যাসেম্বলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
  • ডাই অ্যাটাচ, সোল্ডার জয়েন্ট এবং বাসবার পরিদর্শনের জন্য উচ্চ স্বচ্ছতা
  • কপার, অ্যালুমিনিয়াম, সিরামিক এবং পিসিবি-তে শক্তিশালী আঠালো সহ শোর ডি 80 কঠোরতা
  • শূন্যস্থান-মুক্ত এনক্যাপসুলেশন যা আংশিক ডিসচার্জ দমন করতে সাহায্য করে
  • দ্রুত নিরাময় বিকল্প: 12-16 ঘন্টায় 25°C বা 1 ঘন্টায় 80°C; EU RoHS অনুবর্তী
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স পটিং, এনক্যাপসুলেশন সুরক্ষা এবং উচ্চ ভোল্টেজ অন্তরকের জন্য, যার মধ্যে রয়েছে:

  • IGBT পাওয়ার মডিউল
  • SiC পাওয়ার মডিউল
  • GaN পাওয়ার স্টেজ
  • DC-লিঙ্ক ক্যাপাসিটর
  • ক্যাপাসিটর ব্যাংক
  • বাসবার অ্যাসেম্বলি
  • ট্র্যাকশন ইনভার্টার
  • EV পাওয়ারট্রেন মডিউল
  • শক্তি সঞ্চয়স্থান PCS
  • BESS র‍্যাক
  • স্ট্রিং ইনভার্টার
  • উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার
  • ফাস্ট চার্জিং পাওয়ার স্ট্যাক
  • লিকুইড-কুলড পাওয়ার মডিউল
  • মোটর ইনভার্টার
  • সার্ভো ড্রাইভ
  • UPS মডিউল
  • পাওয়ার শেল্ফ
  • ইনডাকশন হিটিং পাওয়ার ইউনিট
  • ওয়েল্ডিং পাওয়ার সোর্স
  • এক্স-রে জেনারেটর ট্যাঙ্ক
  • উচ্চ ভোল্টেজ পাওয়ার সাপ্লাই
  • মাঝারি ভোল্টেজ সেন্সর
  • আংশিক-ডিসচার্জ-সংবেদনশীল অ্যাসেম্বলি
  • ফুয়েল সেল কনভার্টার
  • ইলেক্ট্রোলাইজার পাওয়ার সাপ্লাই
  • সোলার মাইক্রো-ইনভার্টার
  • ক্লাস-ডি অ্যামপ্লিফায়ার মডিউল
  • উচ্চ ভোল্টেজ রিলে
  • LED ড্রাইভার পাওয়ার স্টেজ
  • পাওয়ার সাপ্লাই মডিউল
  • এসি ক্যাপাসিটর
  • ক্ষুদ্র ট্রান্সফরমার
  • ইগনিশন কয়েল
  • সেন্সর এবং ট্রান্সডিউসার
প্রযুক্তিগত ডেটা (HN-5508A/B উচ্চ স্বচ্ছতা)
বৈশিষ্ট্য শর্ত মান
মিশ্রণ অনুপাত (A:B) ওজন অনুসারে 5 : 1
উপস্থিতি দৃশ্যমান উচ্চ স্বচ্ছ তরল
কঠোরতা শোর ডি 80
ডাইইলেকট্রিক শক্তি 25°C 25 kV/mm
ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা 25°C 4.3 * 10¹⁵ Ω·cm
গ্লাস ট্রানজিশন তাপমাত্রা DSC Tg > 90 °C
রৈখিক প্রসারণের সহগ — < 6.1 * 10⁻⁵ সেমি/কে
পরিষেবা তাপমাত্রা — -60 থেকে 135 °C
নিরাময় সময়সূচী 25°C 6-8 ঘন্টা প্রাথমিক, 12-16 ঘন্টা পূর্ণ
নিরাময় সময়সূচী 80°C 1 ঘন্টা
নিরাময়কৃত উপস্থিতি দৃশ্যমান স্বচ্ছ, চকচকে, শক্ত
সম্মতি — EU RoHS
শেল্ফ লাইফ 25°C 6 মাস

25°C / 60% RH এ পরিমাপ করা সাধারণ মান; অর্ডার করা গ্রেডের জন্য বর্তমান TDS দেখুন।

মিশ্রণ ও প্রয়োগ
  1. কম্পোনেন্ট A আলতো করে প্রি-মিক্স করুন এবং ঠান্ডা ওয়ার্কশপে স্থিতিশীল প্রবাহের জন্য 40-50°C এ প্রি-হিট করুন।
  2. ওজন অনুসারে ঠিক 5:1 অনুপাতে A এবং B ওজন করুন, কখনও আয়তন অনুসারে নয়।
  3. একটি ফ্ল্যাট-ব্লেডেড টুল বা প্ল্যানেটারি মিক্সার দিয়ে ধীরে ধীরে মেশান, দেয়াল 2-3 বার স্ক্র্যাপ করুন।
  4. মিশ্রণটি ভ্যাকুয়াম ডিগ্যাস করুন; অবশিষ্ট শূন্যস্থান উচ্চ ভোল্টেজ অংশে ডাইইলেকট্রিক শক্তি হ্রাস করে।
  5. পটিং করার আগে আর্দ্রতা দূর করার জন্য মডিউল এবং হাউজিং 60-80°C এ 1-2 ঘন্টার জন্য প্রি-হিট করুন।
  6. টার্মিনালগুলিতে চাপ না দিয়ে 25°C এ 6-8 ঘন্টা প্রাথমিক এবং 12-16 ঘন্টা পূর্ণ নিরাময় করুন, অথবা 80°C এ 1 ঘন্টা।
হানাস্ট কেন বেছে নেবেন
  • গুয়াংডং, চীন থেকে ফ্যাক্টরি-সরাসরি সরবরাহ, প্রতি মাসে 50 টন ক্ষমতা
  • IGBT, SiC এবং DC-লিঙ্ক এনক্যাপসুলেশনের জন্য উচ্চ ভোল্টেজ, কম CTE ফর্মুলেশন
  • প্রতিটি গ্রেডের জন্য TDS এবং MSDS, ব্যাচ ট্রেসেবিলিটি এবং সামঞ্জস্যপূর্ণ স্বচ্ছতা সহ
  • OEM / ODM: কাস্টম রঙ, কঠোরতা, সান্দ্রতা, প্যাকিং এবং ব্যক্তিগত লেবেল
  • বিনামূল্যে নমুনা, 1 কেজি থেকে MOQ, রপ্তানি-গ্রেড লিক-প্রুফ প্যাকেজিং
এই সরবরাহকারী সম্পর্কে

Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. একটি প্রিমিয়ার হাই-টেক এন্টারপ্রাইজ এবং নেতৃস্থানীয় উৎস প্রস্তুতকারক যা শিল্প সিলিকন উপকরণের গবেষণা ও উন্নয়ন, উৎপাদন এবং বিশ্বব্যাপী সরবরাহে বিশেষজ্ঞ। সুপরিচিত Shenzhen Kanglibang Technology Co., Ltd. এর একটি কৌশলগত শাখা হিসাবে, Hanast এক দশকেরও বেশি রাসায়নিক আঠালো দক্ষতা এবং একটি অত্যাধুনিক 40,000 বর্গ মিটার আধুনিক উৎপাদন ভিত্তি (আমাদের নতুন সম্প্রসারণাধীন জিয়াংমেন সুবিধা সহ) একত্রিত করে বিশ্বব্যাপী উচ্চ-ক্ষমতার, নির্ভরযোগ্য উপাদান সমাধান সরবরাহ করে।

আমরা বৈদ্যুতিক যানবাহন (EV), ব্যাটারি এনার্জি স্টোরেজ সিস্টেম (BESS), সোলার ইনভার্টার, LED আলো এবং শিল্প অটোমেশন সহ বিভিন্ন খাতের বিশ্বব্যাপী কারখানা, সংগ্রহ ব্যবস্থাপক এবং প্রকৌশল দলগুলির জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ টায়ার-ওয়ান সরবরাহকারী এবং OEM/ODM অংশীদার হিসাবে কাজ করি।

IGBT SiC পাওয়ার মডিউল এনক্যাপসুলেশনের জন্য উচ্চ ভোল্টেজ স্বচ্ছ 5:1 ইপোক্সি পটিং কম্পাউন্ড

প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নাবলী

প্রশ্ন: HN-5508AB কোন ভোল্টেজ ক্লাসের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে?
উত্তর: নিরাময় করা কম্পাউন্ড 25 kV/mm ডাইইলেকট্রিক শক্তি এবং 4.3 x 10¹⁵ ওহম.সেমি এর ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা সরবরাহ করে, তাই এটি IGBT এবং SiC পাওয়ার মডিউল, DC-লিঙ্ক ক্যাপাসিটর ব্যাংক এবং বাসবার অ্যাসেম্বলিগুলিকে উচ্চ DC বাস ভোল্টেজে পরিচালনা করার জন্য এনক্যাপসুলেট করতে ব্যবহৃত হয় যেখানে ট্র্যাকিং এবং লিকেজ কারেন্ট কম থাকতে হবে।

প্রশ্ন: তাপীয় সাইক্লিংয়ের অধীনে রেজিনটি কীভাবে আচরণ করে?
উত্তর: Tg 90 ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে, রৈখিক প্রসারণের সহগ 6.1 x 10⁻⁵ সেমি/কে এর নিচে এবং পরিষেবা পরিসীমা -60 থেকে 135 ডিগ্রি সেলসিয়াস, তাই পট করা মডিউলটি পাওয়ার সাইক্লিং, কোল্ড স্টার্ট এবং লিকুইড-কুলড অপারেশনের মাধ্যমে তার অন্তরক এবং যান্ত্রিক অখণ্ডতা বজায় রাখে।

প্রশ্ন: পাওয়ার মডিউল পটিংয়ের জন্য স্বচ্ছতা কেন গুরুত্বপূর্ণ?
উত্তর: একটি স্বচ্ছ এনক্যাপসুলেশন আপনাকে পটিংয়ের পরে ডাই অ্যাটাচ, সোল্ডার শূন্যস্থান, বাসবার জয়েন্ট এবং গেট ড্রাইভার উপাদানগুলি পরিদর্শন করতে দেয় এবং এটি অসম্পূর্ণ ফিলিং বা আটকে থাকা বাতাসকে অবিলম্বে দৃশ্যমান করে তোলে - যা গুরুত্বপূর্ণ কারণ শূন্যস্থান উচ্চ ভোল্টেজ মডিউলগুলিতে আংশিক ডিসচার্জ ট্রিগার করতে পারে।

প্রশ্ন: আমি কোন নিরাময় সময়সূচী ব্যবহার করব?
উত্তর: 25 ডিগ্রি সেলসিয়াসে কম্পাউন্ডটি 6-8 ঘন্টার মধ্যে প্রাথমিক নিরাময় এবং 12-16 ঘন্টার মধ্যে পূর্ণ নিরাময় অর্জন করে; 80 ডিগ্রি সেলসিয়াসে এক ঘন্টা যথেষ্ট। ওজন অনুসারে 5:1 অনুপাতে A এবং B মেশান, ডিসপেন্সিংয়ের আগে ভ্যাকুয়ামের নিচে ডিগ্যাস করুন এবং নিরাময়ের সময় অ্যাসেম্বলিটি শুষ্ক রাখুন।

প্রশ্ন: MOQ, প্যাকিং এবং OEM বিকল্পগুলি কী কী?
উত্তর: MOQ 1 কেজি থেকে শুরু হয়। স্ট্যান্ডার্ড প্যাকিং হল 25 কেজি কম্পোনেন্ট A এবং 5 কেজি কম্পোনেন্ট B এর 30 কেজি সেট, 25 কেজি ব্যারেল এবং 200 কেজি ড্রাম উপলব্ধ। কাস্টম রঙ, কঠোরতা এবং সান্দ্রতা সহ OEM এবং ব্যক্তিগত-লেবেল সরবরাহ গুয়াংডং, চীনে ফ্যাক্টরি ডাইরেক্টে উৎপাদিত হয়; TDS, MSDS এবং বিনামূল্যে নমুনা উপলব্ধ।

IGBT, SiC বা DC-লিঙ্ক অ্যাসেম্বলি পটিং করছেন? আপনার মডিউল অঙ্কন, বাস ভোল্টেজ এবং বার্ষিক চাহিদা পাঠান - আমাদের প্রকৌশলীরা 12 ঘন্টার মধ্যে গ্রেড, প্যাকিং এবং নমুনা পরিকল্পনা নিশ্চিত করবেন।

অনুরূপ পণ্য