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Compuesto de encapsulación de epoxi transparente de alto voltaje 5:1 para encapsulación de módulos de potencia IGBT SiC

Compuesto de encapsulación de epoxi transparente de alto voltaje 5:1 para encapsulación de módulos de potencia IGBT SiC

Detalles del producto:
Lugar de origen: Cantón, China
Nombre de la marca: Hanast
Certificación: RoHS
Número de modelo: HN-5508AB, incluidos los productos de la categoría H
Información detallada
Lugar de origen:
Cantón, China
Nombre de la marca:
Hanast
Certificación:
RoHS
Número de modelo:
HN-5508AB, incluidos los productos de la categoría H
Proporción de mezcla:
5: 1 por peso
Rigidez dieléctrica:
25 kV/mm
Resistividad de volumen:
4,3 x 10^15 ohmios.cm
Dureza:
Orilla D 80
Temporeros de cristal de la transición:
Tg > 90 °C
Temperatura de servicio:
-60 a 135°C
Resaltar:

High Light

Resaltar:

High Voltage Transparent Potting Epoxy

,

IGBT SiC Power Module Encapsulant

,

DC-Link Capacitor Potting Resin

Información Comercial
Cantidad de orden mínima:
1 kilogramo
Detalles de empaquetado:
Juego de 30 kg (cubo de 25 kg de A + cubo de 5 kg de B); También disponibles barriles de 25 kg y tam
Tiempo de entrega:
3-5 días laborables para muestras, 7-15 días para pedidos al por mayor
Condiciones de pago:
T/T, L/C, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:
50 toneladas por mes
Descripción del producto
HN-5508AB Compuesto de encapsulación epoxi de alta transparencia y alto voltaje 5:1

HN-5508AB es un compuesto de encapsulación epoxi de dos componentes y alta transparencia con una relación de mezcla en peso de 5:1, desarrollado para la encapsulación de módulos de potencia de alto voltaje. El compuesto curado ofrece una resistencia dieléctrica de 25 kV/mm, una resistividad volumétrica de 4.3 * 10¹⁵ Ω·cm, una Tg superior a 90 °C y un coeficiente de expansión lineal inferior a 6.1 * 10⁻⁵ cm/K en un rango de servicio de -60 a 135 °C, por lo que los módulos IGBT y SiC, los bancos de condensadores de enlace DC y los ensamblajes de barras colectoras mantienen su aislamiento e integridad mecánica a través del ciclo de potencia. Dado que la resina permanece transparente, la unión de troqueles, las juntas de soldadura y las conexiones de las barras colectoras permanecen inspeccionables y el llenado incompleto es visible antes de que el módulo se encapsule en su carcasa.

Características clave
  • Resistencia dieléctrica de 25 kV/mm para módulos de bus DC de alto voltaje
  • Resistividad volumétrica de 4.3 * 10¹⁵ Ω·cm con baja corriente de fuga
  • Tg superior a 90 °C y CTE inferior a 6.1 * 10⁻⁵ cm/K para fiabilidad en ciclos de potencia
  • Rango de servicio de -60 a 135 °C, compatible con ensamblajes refrigerados por líquido
  • Alta transparencia para la inspección de la unión de troqueles, juntas de soldadura y barras colectoras
  • Dureza Shore D 80 con fuerte adhesión al cobre, aluminio, cerámica y PCB
  • Encapsulación sin vacíos que ayuda a suprimir la descarga parcial
  • Opciones de curado rápido: 25 °C en 12-16 horas o 80 °C en 1 hora; cumple con la normativa EU RoHS
Aplicaciones típicas

Para encapsulación, protección y aislamiento de alto voltaje de electrónica de potencia, incluyendo:

  • Módulos de potencia IGBT
  • Módulos de potencia SiC
  • Etapas de potencia GaN
  • Condensadores de enlace DC
  • Bancos de condensadores
  • Ensamblajes de barras colectoras
  • Inversores de tracción
  • Módulos de potencia de tren motriz EV
  • PCS de almacenamiento de energía
  • Racks BESS
  • Inversores de cadena
  • Convertidores de energía eólica
  • Pilas de potencia de carga rápida
  • Módulos de potencia refrigerados por líquido
  • Inversores de motor
  • Servodrives
  • Módulos UPS
  • Estantes de potencia
  • Unidades de potencia de calentamiento por inducción
  • Fuentes de alimentación de soldadura
  • Tanques generadores de rayos X
  • Fuentes de alimentación de alto voltaje
  • Sensores de media tensión
  • Ensamblajes sensibles a descargas parciales
  • Convertidores de pila de combustible
  • Fuentes de alimentación de electrolizador
  • Microinversores solares
  • Módulos amplificadores clase D
  • Relés de alto voltaje
  • Etapas de potencia del controlador LED
  • Módulos de fuente de alimentación
  • Condensadores de CA
  • Transformadores en miniatura
  • Bobinas de encendido
  • Sensores y transductores
Datos técnicos (HN-5508A/B alta transparencia)
Propiedad Condición Valor
Relación de mezcla (A:B) En peso 5 : 1
Apariencia Visual Líquido de alta transparencia
Dureza Shore D 80
Resistencia dieléctrica 25 °C 25 kV/mm
Resistividad volumétrica 25 °C 4.3 * 10¹⁵ Ω·cm
Temperatura de transición vítrea DSC Tg > 90 °C
Coeficiente de expansión lineal — < 6.1 * 10⁻⁵ cm/K
Temperatura de servicio — -60 a 135 °C
Programa de curado 25 °C 6-8 h inicial, 12-16 h completo
Programa de curado 80 °C 1 h
Apariencia curada Visual Transparente, brillante, duro
Cumplimiento — EU RoHS
Vida útil 25 °C 6 meses

Valores típicos medidos a 25 °C / 60% HR; consulte la TDS actual para el grado solicitado.

Mezcla y aplicación
  1. Premezcle suavemente el Componente A y precaliente a 40-50 °C para un flujo estable en talleres fríos.
  2. Pese A y B exactamente en una proporción de 5:1 en peso, nunca en volumen.
  3. Mezcle lentamente con una herramienta de hoja plana o mezclador planetario, raspando las paredes 2-3 veces.
  4. Desgasifique la mezcla al vacío; los vacíos residuales reducen la resistencia dieléctrica en piezas de alto voltaje.
  5. Precaliente el módulo y la carcasa a 60-80 °C durante 1-2 horas para eliminar la humedad antes de encapsular.
  6. Cure durante 6-8 horas iniciales y 12-16 horas completas a 25 °C, o 1 hora a 80 °C, sin forzar los terminales.
¿Por qué elegir Hanast?
  • Suministro directo de fábrica desde Guangdong, China, capacidad de 50 toneladas por mes
  • Formulaciones de alto voltaje y bajo CTE para encapsulación IGBT, SiC y de enlace DC
  • TDS y MSDS para cada grado con trazabilidad de lotes y claridad constante
  • OEM / ODM: color, dureza, viscosidad, embalaje personalizados y marca privada
  • Muestras gratuitas, MOQ desde 1 kg, embalaje a prueba de fugas de grado de exportación
Sobre este proveedor

Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. es una empresa de alta tecnología de primer nivel y un fabricante líder especializado en I+D, fabricación y suministro global de materiales de silicona industrial. Como rama estratégica de la reconocida Shenzhen Kanglibang Technology Co., Ltd., Hanast integra más de una década de experiencia en adhesivos químicos con una base de producción moderna de vanguardia de 40.000 metros cuadrados (incluida nuestra nueva instalación en expansión en Jiangmen) para ofrecer soluciones de materiales fiables y de alta capacidad en todo el mundo.

Servimos como un proveedor vital de nivel uno y socio OEM/ODM para fábricas globales, gerentes de adquisiciones y equipos de ingeniería en diversos sectores, incluidos vehículos eléctricos (EV), sistemas de almacenamiento de energía de baterías (BESS), inversores solares, iluminación LED y automatización industrial.

Compuesto de encapsulación de epoxi transparente de alto voltaje 5:1 para encapsulación de módulos de potencia IGBT SiC

Preguntas frecuentes

P: ¿Para qué clase de voltaje está diseñado el HN-5508AB?
R: El compuesto curado proporciona una resistencia dieléctrica de 25 kV/mm y una resistividad volumétrica de 4.3 x 10¹⁵ ohm.cm, por lo que se utiliza para encapsular módulos de potencia IGBT y SiC, bancos de condensadores de enlace DC y ensamblajes de barras colectoras que operan a altos voltajes de bus DC donde el seguimiento y la corriente de fuga deben mantenerse bajos.

P: ¿Cómo se comporta la resina bajo ciclos térmicos?
R: La Tg es superior a 90 grados C, el coeficiente de expansión lineal es inferior a 6.1 x 10⁻⁵ cm/K y el rango de servicio es de -60 a 135 grados C, por lo que el módulo encapsulado mantiene su aislamiento e integridad mecánica a través de ciclos de potencia, arranques en frío y operación refrigerada por líquido.

P: ¿Por qué es importante la transparencia para la encapsulación de módulos de potencia?
R: Una encapsulación transparente le permite inspeccionar la unión de troqueles, los vacíos de soldadura, las juntas de las barras colectoras y los componentes del controlador de puerta después de la encapsulación, y hace que el llenado incompleto o el aire atrapado sean inmediatamente visibles, lo cual es crítico porque los vacíos pueden desencadenar descargas parciales en módulos de alto voltaje.

P: ¿Qué programa de curado debo usar?
R: A 25 grados C, el compuesto alcanza un curado inicial en 6-8 horas y un curado completo en 12-16 horas; a 80 grados C, una hora es suficiente. Mezcle A y B en una proporción de 5:1 en peso, desgasifique al vacío antes de dispensar y mantenga el ensamblaje seco durante el curado.

P: ¿Cuáles son las opciones de MOQ, embalaje y OEM?
R: El MOQ comienza en 1 kg. El embalaje estándar es un juego de 30 kg de Componente A de 25 kg más Componente B de 5 kg, con barriles de 25 kg y bidones de 200 kg disponibles. El suministro OEM y de marca privada con color, dureza y viscosidad personalizados se produce directamente de fábrica en Guangdong, China; se dispone de TDS, MSDS y muestras gratuitas.

¿Encapsulando ensamblajes IGBT, SiC o de enlace DC? Envíe el dibujo de su módulo, el voltaje del bus y la demanda anual; nuestros ingenieros confirmarán el grado, el embalaje y el plan de muestreo en un plazo de 12 horas.