Casa. > Prodotti >
Epoxide in vaso
>
Compound di inchiostro epossidico trasparente ad alta tensione 5:1 per l'incapsulamento del modulo di alimentazione SiC IGBT

Compound di inchiostro epossidico trasparente ad alta tensione 5:1 per l'incapsulamento del modulo di alimentazione SiC IGBT

Dettagli del prodotto:
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: Hanast
Certificazione: RoHS
Numero di modello: HN-5508AB
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Guangdong, Cina
Marca:
Hanast
Certificazione:
RoHS
Numero di modello:
HN-5508AB
Rapporto di miscelazione:
5: 1 in peso
Rigidità dielettrica:
25 kV/mm
Resistività del volume:
4,3 x 10^15 Ohm.cm
Durezza:
Riva D 80
Impiegati di vetro di transizione:
Tg > 90°C
Temperatura di servizio:
Da -60 a 135 °C
Evidenziare:

High Light

Evidenziare:

High Voltage Transparent Potting Epoxy

,

IGBT SiC Power Module Encapsulant

,

DC-Link Capacitor Potting Resin

Informazioni di trading
Quantità di ordine minimo:
1 chilogrammo
Imballaggi particolari:
Set da 30 kg (secchio da 25 kg di A + secchio da 5 kg di B); Disponibili anche fusti da 25 kg e fust
Tempi di consegna:
3-5 giorni lavorativi per i campioni, 7-15 giorni per ordini all'ingrosso
Termini di pagamento:
T/T,L/C,Western Union,PayPal
Capacità di alimentazione:
50 tonnellate al mese
Descrizione del prodotto
HN-5508AB Composto Epossidico per Incapsulamento ad Alta Tensione e Alta Trasparenza 5:1

HN-5508AB è un composto epossidico bicomponente ad alta trasparenza per incapsulamento con rapporto di miscelazione 5:1 in peso, sviluppato per l'incapsulamento di moduli di potenza ad alta tensione. Il composto polimerizzato offre una rigidità dielettrica di 25 kV/mm, una resistività volumica di 4,3 * 10¹⁵ Ω·cm, una Tg superiore a 90°C e un coefficiente di espansione lineare inferiore a 6,1 * 10⁻⁵ cm/K in un intervallo di servizio da -60 a 135°C, in modo che i moduli IGBT e SiC, i banchi di condensatori DC-link e gli assiemi di barre collettrici mantengano la loro isolazione e integrità meccanica durante il ciclo di potenza. Poiché la resina rimane trasparente, l'attacco del die, le giunzioni saldate e le connessioni delle barre collettrici rimangono ispezionabili e il riempimento incompleto è visibile prima che il modulo venga incapsulato nel suo alloggiamento.

Caratteristiche Principali
  • Rigidità dielettrica di 25 kV/mm per moduli ad alta tensione DC
  • Resistività volumica 4,3 * 10¹⁵ Ω·cm con bassa corrente di dispersione
  • Tg superiore a 90°C e CTE inferiore a 6,1 * 10⁻⁵ cm/K per affidabilità nel ciclo di potenza
  • Intervallo di servizio da -60 a 135°C, compatibile con assiemi raffreddati a liquido
  • Elevata trasparenza per l'ispezione dell'attacco del die, delle giunzioni saldate e delle barre collettrici
  • Durezza Shore D 80 con forte adesione a rame, alluminio, ceramica e PCB
  • Incapsulamento privo di vuoti che aiuta a sopprimere la scarica parziale
  • Opzioni di polimerizzazione rapida: 25°C in 12-16 ore o 80°C in 1 ora; conforme a EU RoHS
Applicazioni Tipiche

Per incapsulamento, protezione e isolamento ad alta tensione di elettronica di potenza, tra cui:

  • Moduli di potenza IGBT
  • Moduli di potenza SiC
  • Stadi di potenza GaN
  • Condensatori DC-link
  • Banchi di condensatori
  • Assiemi di barre collettrici
  • Inverter di trazione
  • Moduli powertrain EV
  • PCS per accumulo di energia
  • Rack BESS
  • Inverter di stringa
  • Convertitori eolici
  • Stack di potenza per ricarica rapida
  • Moduli di potenza raffreddati a liquido
  • Inverter motore
  • Servomotori
  • Moduli UPS
  • Power shelf
  • Unità di potenza per riscaldamento a induzione
  • Fonti di alimentazione per saldatura
  • Serbatoi generatori a raggi X
  • Alimentatori ad alta tensione
  • Sensori di media tensione
  • Assiemi sensibili alle scariche parziali
  • Convertitori per celle a combustibile
  • Alimentatori per elettrolizzatori
  • Microinverter solari
  • Moduli amplificatori classe D
  • Relè ad alta tensione
  • Stadi di potenza driver LED
  • Moduli di alimentazione
  • Condensatori AC
  • Trasformatori miniaturizzati
  • Bobine di accensione
  • Sensori e trasduttori
Dati Tecnici (HN-5508A/B alta trasparenza)
Proprietà Condizione Valore
Rapporto di miscelazione (A:B) In peso 5 : 1
Aspetto Visivo Liquido ad alta trasparenza
Durezza Shore D 80
Rigidità dielettrica 25°C 25 kV/mm
Resistività volumica 25°C 4,3 * 10¹⁵ Ω·cm
Temperatura di transizione vetrosa DSC Tg > 90 °C
Coefficiente di espansione lineare — < 6,1 * 10⁻⁵ cm/K
Temperatura di servizio — -60 a 135 °C
Schema di polimerizzazione 25°C 6-8 h iniziale, 12-16 h completo
Schema di polimerizzazione 80°C 1 h
Aspetto dopo polimerizzazione Visivo Trasparente, lucido, duro
Conformità — EU RoHS
Durata di conservazione 25°C 6 mesi

Valori tipici misurati a 25°C / 60% UR; fare riferimento alla TDS corrente per il grado ordinato.

Miscelazione e Applicazione
  1. Premiscelare delicatamente il Componente A e preriscaldare a 40-50°C per un flusso stabile in officine fredde.
  2. Pesare A e B esattamente nel rapporto 5:1 in peso, mai in volume.
  3. Mescolare lentamente con uno strumento a lama piatta o un miscelatore planetario, raschiando le pareti 2-3 volte.
  4. Degasare la miscela sotto vuoto; i vuoti residui riducono la rigidità dielettrica nei componenti ad alta tensione.
  5. Preriscaldare il modulo e l'alloggiamento a 60-80°C per 1-2 ore per rimuovere l'umidità prima dell'incapsulamento.
  6. Polimerizzare per 6-8 ore iniziali e 12-16 ore complete a 25°C, o 1 ora a 80°C, senza stressare i terminali.
Perché Scegliere Hanast
  • Fornitura diretta dalla fabbrica da Guangdong, Cina, capacità di 50 tonnellate al mese
  • Formulazioni ad alta tensione, basso CTE per incapsulamento IGBT, SiC e DC-link
  • TDS e MSDS per ogni grado con tracciabilità del lotto e chiarezza costante
  • OEM / ODM: colore personalizzato, durezza, viscosità, imballaggio ed etichetta privata
  • Campioni gratuiti, MOQ da 1 kg, imballaggio a prova di perdite di grado export
Informazioni su questo fornitore

Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. è un'impresa high-tech di primo piano e un produttore leader specializzato in R&S, produzione e fornitura globale di materiali siliconici industriali. In quanto filiale strategica della rinomata Shenzhen Kanglibang Technology Co., Ltd., Hanast integra oltre un decennio di esperienza in adesivi chimici con una base produttiva moderna all'avanguardia di 40.000 metri quadrati (inclusa la nostra nuova struttura in espansione a Jiangmen) per fornire soluzioni materiali affidabili e ad alta capacità in tutto il mondo.

Serviamo come fornitore di primo livello e partner OEM/ODM per fabbriche globali, responsabili degli acquisti e team di ingegneria in diversi settori, tra cui veicoli elettrici (EV), sistemi di accumulo di energia a batteria (BESS), inverter solari, illuminazione a LED e automazione industriale.

Compound di inchiostro epossidico trasparente ad alta tensione 5:1 per l'incapsulamento del modulo di alimentazione SiC IGBT

FAQ

D: A quale classe di tensione è progettato HN-5508AB?
R: Il composto polimerizzato fornisce una rigidità dielettrica di 25 kV/mm e una resistività volumica di 4,3 x 10¹⁵ ohm·cm, quindi viene utilizzato per incapsulare moduli di potenza IGBT e SiC, banchi di condensatori DC-link e assiemi di barre collettrici che operano ad alte tensioni DC dove il tracciamento e la corrente di dispersione devono rimanere bassi.

D: Come si comporta la resina durante il ciclo termico?
R: La Tg è superiore a 90 gradi C, il coefficiente di espansione lineare è inferiore a 6,1 x 10⁻⁵ cm/K e l'intervallo di servizio è da -60 a 135 gradi C, quindi il modulo incapsulato mantiene la sua isolazione e integrità meccanica attraverso il ciclo di potenza, gli avviamenti a freddo e il funzionamento raffreddato a liquido.

D: Perché la trasparenza è importante per l'incapsulamento di moduli di potenza?
R: Un incapsulamento trasparente consente di ispezionare l'attacco del die, i vuoti di saldatura, le giunzioni delle barre collettrici e i componenti del driver di gate dopo l'incapsulamento, e rende immediatamente visibile un riempimento incompleto o aria intrappolata - il che è fondamentale poiché i vuoti possono innescare scariche parziali in moduli ad alta tensione.

D: Quale schema di polimerizzazione dovrei usare?
R: A 25 gradi C il composto raggiunge una polimerizzazione iniziale in 6-8 ore e una polimerizzazione completa in 12-16 ore; a 80 gradi C un'ora è sufficiente. Mescolare A e B in rapporto 5:1 in peso, degasare sotto vuoto prima dell'erogazione e mantenere l'assieme asciutto durante la polimerizzazione.

D: Quali sono le opzioni MOQ, di imballaggio e OEM?
R: Il MOQ parte da 1 kg. L'imballaggio standard è un set da 30 kg composto da 25 kg di Componente A più 5 kg di Componente B, con barili da 25 kg e fusti da 200 kg disponibili. La fornitura OEM e private-label con colore, durezza e viscosità personalizzati viene prodotta direttamente in fabbrica a Guangdong, Cina; sono disponibili TDS, MSDS e campioni gratuiti.

Incapsulamento di assiemi IGBT, SiC o DC-link? Inviate il disegno del vostro modulo, la tensione del bus e la domanda annuale - i nostri ingegneri confermeranno il grado, l'imballaggio e il piano di campionamento entro 12 ore.