IGBT SiCパワーモジュール封止用高電圧透明5:1エポキシポッティングコンパウンド

HN-5508ABは、高電圧パワーモジュール封止用に開発された、2成分、高透明性エポキシポッティングコンパウンドで、重量比5:1で混合します。硬化後のコンパウンドは、絶縁破壊電圧25 kV/mm、体積抵抗率4.3 * 10¹⁵ Ω・cm、Tg 90℃以上、線膨張係数-60～135℃のサービス範囲で6.1 * 10⁻⁵ cm/K未満を実現するため、IGBTおよびSiCモジュール、DCリンクコンデンサバンク、バスバーアセンブリは、パワーサイクリングを通じて絶縁性と機械的完全性を維持します。樹脂は透明性を保つため、ダイアタッチ、はんだ接合部、バスバー接続部は目視可能であり、モジュールがハウジングに封止される前に不完全な充填を確認できます。

• 高DCバス電圧モジュール向けの25 kV/mm絶縁破壊電圧
• 低漏洩電流の体積抵抗率4.3 * 10¹⁵ Ω・cm
• パワーサイクリング信頼性のためのTg 90℃以上およびCTE 6.1 * 10⁻⁵ cm/K未満
• -60～135℃のサービス範囲、液体冷却アセンブリとの互換性
• ダイアタッチ、はんだ接合部、バスバーの検査のための高透明性
• 銅、アルミニウム、セラミック、PCBへの強力な接着性を備えたショアD 80硬度
• 部分放電の抑制に役立つボイドフリー封止
• 高速硬化オプション：25℃で12～16時間、または80℃で1時間；EU RoHS準拠

パワーエレクトロニクス（以下を含む）のポッティング、封止保護、高電圧絶縁用：

• IGBTパワーモジュール
• SiCパワーモジュール
• GaNパワー段
• DCリンクコンデンサ
• コンデンサバンク
• バスバーアセンブリ
• トラクションインバータ
• EVパワートレインモジュール
• エネルギー貯蔵PCS
• BESSラック
• ストリングインバータ
• 風力発電コンバータ
• 高速充電パワースタック
• 液体冷却パワーモジュール
• モータインバータ
• サーボドライブ
• UPSモジュール
• パワースタンド
• 誘導加熱電源ユニット
• 溶接電源
• X線発生器タンク
• 高電圧電源
• 中電圧センサー
• 部分放電に敏感なアセンブリ
• 燃料電池コンバータ
• 電解槽電源
• 太陽光発電マイクロインバータ
• クラスDアンプモジュール
• 高電圧リレー
• LEDドライバパワーステージ
• 電源モジュール
• ACコンデンサ
• 小型トランス
• 点火コイル
• センサーおよびトランスデューサー

25℃ / 60% RHで測定された代表値。注文したグレードについては、最新のTDSを参照してください。

1. コンポーネントAを静かに予備混合し、寒い作業場での安定した流れのために40～50℃に予熱してください。
2. AとBを必ず重量比5:1で正確に計量してください。体積比ではありません。
3. 平らな刃の工具または遊星ミキサーでゆっくりと混合し、壁面を2～3回こすり取ってください。
4. ブレンドを真空脱泡してください。残留ボイドは高電圧部品の絶縁破壊電圧を低下させます。
5. ポッティング前に、モジュールとハウジングを60～80℃に1～2時間予熱して、湿気を取り除いてください。
6. 端子に応力がかからないように、25℃で6～8時間（初期）、12～16時間（完全）または80℃で1時間硬化させてください。

• 広東省中国からの工場直送、月産50トン
• IGBT、SiC、DCリンク封止用の高電圧、低CTE配合
• バッチトレーサビリティと一貫した透明性を備えた各グレードのTDSおよびMSDS
• OEM / ODM：カスタムカラー、硬度、粘度、梱包、プライベートラベル
• 無料サンプル、MOQ 1kgから、輸出グレードの漏れ防止パッケージ

Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd.は、産業用シリコーン材料の研究開発、製造、グローバル供給を専門とする、主要なハイテク企業およびリーディングソースメーカーです。著名なShenzhen Kanglibang Technology Co., Ltd.の戦略的支社として、Hanastは10年以上の接着剤化学の専門知識と、最先端の40,000平方メートルの近代的な生産拠点（新しく拡張中の江門施設を含む）を統合し、世界中に大容量で信頼性の高い材料ソリューションを提供しています。

当社は、電気自動車（EV）、バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）、太陽光発電インバータ、LED照明、産業オートメーションなど、多様な分野のグローバル工場、調達マネージャー、エンジニアリングチームの重要なティアワンサプライヤーおよびOEM/ODMパートナーとしてサービスを提供しています。

Q: HN-5508ABはどの電圧クラス向けに設計されていますか？
A: 硬化後のコンパウンドは、絶縁破壊電圧25 kV/mm、体積抵抗率4.3 x 10¹⁵ Ω・cmを提供するため、IGBTおよびSiCパワーモジュール、DCリンクコンデンサバンク、バスバーアセンブリなどの高DCバス電圧で動作するアセンブリの封止に使用されます。これらのアセンブリでは、トラッキングと漏洩電流を低く抑える必要があります。

Q: 熱サイクリング下での樹脂の挙動はどうですか？
A: Tgは90℃以上、線膨張係数は6.1 x 10⁻⁵ cm/K未満、使用範囲は-60～135℃であるため、封止されたモジュールは、パワーサイクリング、コールドスタート、液体冷却動作を通じて、絶縁性と機械的完全性を維持します。

Q: パワーモジュールポッティングにおいて透明性が重要なのはなぜですか？
A: 透明な封止材を使用すると、ポッティング後にダイアタッチ、はんだボイド、バスバー接合部、ゲートドライバコンポーネントを検査できます。また、不完全な充填や巻き込まれた空気をすぐに視覚化できます。これは、ボイドが高電圧モジュールで部分放電を引き起こす可能性があるため、非常に重要です。

Q: どのような硬化スケジュールを使用すべきですか？
A: 25℃では、コンパウンドは6～8時間で初期硬化し、12～16時間で完全硬化します。80℃では1時間で十分です。AとBを重量比5:1で混合し、塗布前に真空下で脱泡し、硬化中はアセンブリを乾燥させてください。

Q: MOQ、梱包、OEMオプションは何ですか？
A: MOQは1kgから始まります。標準梱包は、コンポーネントA 25kgとコンポーネントB 5kgのセット30kgで、25kgバレルと200kgドラムも利用可能です。カスタムカラー、硬度、粘度でのOEMおよびプライベートラベル供給は、広東省中国の工場で直接製造されます。TDS、MSDS、無料サンプルが利用可能です。

IGBT、SiC、またはDCリンクアセンブリをポッティングしますか？モジュール図面、バス電圧、年間需要をお送りください。当社のエンジニアが12時間以内にグレード、梱包、サンプル計画を確認します。