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Composto de encapsulamento de módulos de alimentação IGBT SiC de alta tensão transparente 5:1

Composto de encapsulamento de módulos de alimentação IGBT SiC de alta tensão transparente 5:1

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Cantão, China
Marca: Hanast
Certificação: RoHS
Número do modelo: HN-5508AB
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Cantão, China
Marca:
Hanast
Certificação:
RoHS
Número do modelo:
HN-5508AB
Proporção de mistura:
5: 1 em peso
Resistência Dielétrica:
25kV/mm
Resistividade de volume:
4,3 x 10 ^ 15 Ohm.cm
Dureza:
Costa D 80
Temp de vidro da transição:
Tg > 90°C
Temperatura de serviço:
-60 a 135°C
Destacar:

High Light

Destacar:

High Voltage Transparent Potting Epoxy

,

IGBT SiC Power Module Encapsulant

,

DC-Link Capacitor Potting Resin

Informações de negociação
Quantidade de ordem mínima:
1kg
Detalhes da embalagem:
Conjunto de 30 kg (balde de 25 kg de A + balde de 5 kg de B); Tambor de 25 kg e tambor de 200 kg tam
Tempo de entrega:
3-5 dias úteis para amostras, 7-15 dias para pedidos em grandes quantidades
Termos de pagamento:
T/T,L/C,Western Union,PayPal
Habilidade da fonte:
50 toneladas por mês
Descrição do produto
Composto de encapsulamento epóxi de alta voltagem e alta transparência HN-5508AB 5:1

HN-5508AB é um composto de encapsulamento epóxi bicomponente, de alta transparência, com uma proporção de mistura de 5:1 por peso, desenvolvido para encapsulamento de módulos de potência de alta voltagem. O composto curado oferece resistência dielétrica de 25 kV/mm, resistividade volumétrica de 4,3 * 10¹⁵ Ω·cm, Tg acima de 90°C e um coeficiente de expansão linear abaixo de 6,1 * 10⁻⁵ cm/K em uma faixa de serviço de -60 a 135°C, para que módulos IGBT e SiC, bancos de capacitores DC-link e conjuntos de barramentos mantenham sua isolação e integridade mecânica durante ciclos de potência. Como a resina permanece transparente, a fixação do chip, as juntas de solda e as conexões dos barramentos permanecem inspecionáveis e o preenchimento incompleto é visível antes que o módulo seja encapsulado em sua carcaça.

Principais Características
  • Resistência dielétrica de 25 kV/mm para módulos de alta tensão de barramento DC
  • Resistividade volumétrica de 4,3 * 10¹⁵ Ω·cm com baixa corrente de fuga
  • Tg acima de 90°C e CTE abaixo de 6,1 * 10⁻⁵ cm/K para confiabilidade em ciclos de potência
  • Faixa de serviço de -60 a 135°C, compatível com conjuntos refrigerados a líquido
  • Alta transparência para inspeção de fixação do chip, juntas de solda e barramentos
  • Dureza Shore D 80 com forte adesão a cobre, alumínio, cerâmica e PCB
  • Encapsulamento sem vazios que ajuda a suprimir descargas parciais
  • Opções de cura rápida: 25°C em 12-16 horas ou 80°C em 1 hora; em conformidade com EU RoHS
Aplicações Típicas

Para encapsulamento, proteção e isolamento de alta voltagem de eletrônicos de potência, incluindo:

  • Módulos de potência IGBT
  • Módulos de potência SiC
  • Estágios de potência GaN
  • Capacitores DC-link
  • Bancos de capacitores
  • Conjuntos de barramentos
  • Inversores de tração
  • Módulos de powertrain de VE
  • PCS de armazenamento de energia
  • Racks BESS
  • Inversores de string
  • Conversores de energia eólica
  • Pilhas de potência de carregamento rápido
  • Módulos de potência refrigerados a líquido
  • Inversores de motor
  • Servodrives
  • Módulos UPS
  • Prateleiras de potência
  • Unidades de potência de aquecimento por indução
  • Fontes de alimentação de solda
  • Tanques geradores de raios-X
  • Fontes de alimentação de alta voltagem
  • Sensores de média voltagem
  • Conjuntos sensíveis a descargas parciais
  • Conversores de célula de combustível
  • Fontes de alimentação de eletrólise
  • Microinversores solares
  • Módulos amplificadores classe D
  • Relés de alta voltagem
  • Estágios de potência de driver de LED
  • Módulos de fonte de alimentação
  • Capacitores AC
  • Transformadores miniatura
  • Bobinas de ignição
  • Sensores e transdutores
Dados Técnicos (HN-5508A/B alta transparência)
Propriedade Condição Valor
Proporção de mistura (A:B) Por peso 5 : 1
Aparência Visual Líquido de alta transparência
Dureza Shore D 80
Resistência dielétrica 25°C 25 kV/mm
Resistividade volumétrica 25°C 4,3 * 10¹⁵ Ω·cm
Temperatura de transição vítrea DSC Tg > 90 °C
Coeficiente de expansão linear — < 6,1 * 10⁻⁵ cm/K
Temperatura de serviço — -60 a 135 °C
Esquema de cura 25°C 6-8 h inicial, 12-16 h total
Esquema de cura 80°C 1 h
Aparência curada Visual Transparente, brilhante, duro
Conformidade — EU RoHS
Prazo de validade 25°C 6 meses

Valores típicos medidos a 25°C / 60% UR; consulte o TDS atual para a série encomendada.

Mistura e Aplicação
  1. Pré-misture o Componente A suavemente e pré-aqueça a 40-50°C para um fluxo estável em oficinas frias.
  2. Pese A e B exatamente na proporção de 5:1 por peso, nunca por volume.
  3. Misture lentamente com uma ferramenta de lâmina plana ou misturador planetário, raspando as paredes 2-3 vezes.
  4. Desgaseifique a mistura sob vácuo; vazios residuais reduzem a resistência dielétrica em peças de alta voltagem.
  5. Pré-aqueça o módulo e a carcaça a 60-80°C por 1-2 horas para remover a umidade antes do encapsulamento.
  6. Cure por 6-8 horas iniciais e 12-16 horas totais a 25°C, ou 1 hora a 80°C, sem estressar os terminais.
Por que escolher Hanast
  • Fornecimento direto da fábrica de Guangdong, China, capacidade de 50 toneladas por mês
  • Formulações de alta voltagem e baixo CTE para encapsulamento IGBT, SiC e DC-link
  • TDS e MSDS para cada série com rastreabilidade de lote e clareza consistente
  • OEM / ODM: cor, dureza, viscosidade, embalagem personalizada e marca privada
  • Amostras grátis, MOQ a partir de 1 kg, embalagem à prova de vazamento de grau de exportação
Sobre este fornecedor

Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. é uma empresa de alta tecnologia de ponta e um fabricante líder especializado em P&D, fabricação e fornecimento global de materiais de silicone industrial. Como um ramo estratégico da renomada Shenzhen Kanglibang Technology Co., Ltd., a Hanast integra mais de uma década de experiência em adesivos químicos com uma base de produção moderna de ponta de 40.000 metros quadrados (incluindo nossa instalação em expansão em Jiangmen) para fornecer soluções de materiais confiáveis e de alta capacidade em todo o mundo.

Servimos como um fornecedor de nível um vital e parceiro OEM/ODM para fábricas globais, gerentes de compras e equipes de engenharia em diversos setores, incluindo veículos elétricos (VE), sistemas de armazenamento de energia de bateria (BESS), inversores solares, iluminação LED e automação industrial.

Composto de encapsulamento de módulos de alimentação IGBT SiC de alta tensão transparente 5:1

FAQ

P: Para qual classe de voltagem o HN-5508AB foi projetado?
R: O composto curado fornece resistência dielétrica de 25 kV/mm e resistividade volumétrica de 4,3 x 10¹⁵ ohm.cm, portanto, é usado para encapsular módulos de potência IGBT e SiC, bancos de capacitores DC-link e conjuntos de barramentos operando em altas tensões de barramento DC onde o rastreamento e a corrente de fuga devem permanecer baixos.

P: Como a resina se comporta sob ciclos térmicos?
R: A Tg é superior a 90 graus C, o coeficiente de expansão linear é inferior a 6,1 x 10⁻⁵ cm/K e a faixa de serviço é de -60 a 135 graus C, portanto, o módulo encapsulado mantém sua isolação e integridade mecânica através de ciclos de potência, partidas a frio e operação refrigerada a líquido.

P: Por que a transparência é importante para o encapsulamento de módulos de potência?
R: Um encapsulamento transparente permite inspecionar a fixação do chip, vazios de solda, juntas de barramento e componentes do driver de gate após o encapsulamento, e torna o preenchimento incompleto ou o ar aprisionado imediatamente visível - o que é crítico, pois vazios podem desencadear descargas parciais em módulos de alta voltagem.

P: Qual esquema de cura devo usar?
R: A 25 graus C, o composto atinge cura inicial em 6-8 horas e cura total em 12-16 horas; a 80 graus C, uma hora é suficiente. Misture A e B na proporção de 5:1 por peso, desgaseifique sob vácuo antes da dispensação e mantenha o conjunto seco durante a cura.

P: Quais são as opções de MOQ, embalagem e OEM?
R: O MOQ começa em 1 kg. A embalagem padrão é um conjunto de 30 kg de 25 kg do Componente A mais 5 kg do Componente B, com tambores de 25 kg e tambores de 200 kg disponíveis. O fornecimento OEM e de marca privada com cor, dureza e viscosidade personalizadas é produzido diretamente na fábrica em Guangdong, China; TDS, MSDS e amostras grátis estão disponíveis.

Encapsulando conjuntos IGBT, SiC ou DC-link? Envie o desenho do seu módulo, tensão do barramento e demanda anual - nossos engenheiros confirmarão a série, embalagem e plano de amostra em até 12 horas.