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3.0 W/mK Compound di silicone termicamente conduttivo per il modulo di alimentazione IGBT BMS PCB Encapsulation UL94 V-0

3.0 W/mK Compound di silicone termicamente conduttivo per il modulo di alimentazione IGBT BMS PCB Encapsulation UL94 V-0

Dettagli del prodotto:
Luogo di origine: Guangdong, Cina
Marca: HanasT
Certificazione: ROHS
Numero di modello: HN-8830A/B
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Guangdong, Cina
Marca:
HanasT
Certificazione:
ROHS
Numero di modello:
HN-8830A/B
Aspetto:
Liquido grigio (componenti A+B)
Viscosità:
11000±2000 mPa·s
Durezza:
45-50 Shore A
Conducibilità termica:
3,0 W/m·K
Classificazione ignifuga:
UL94 V-0
Intervallo di temperatura:
-40 ° C a +150 ° C.
Trattamento del tipo:
Polimerizzazione per addizione bicomponente (rapporto di miscelazione 1:1)
Rigidità dielettrica:
≥18 KV/mm
Densità:
2,65±0,05 g/cm³
Tempo di polimerizzazione a 25°C:
4-6 ore (senza aderenza), 24 ore (polimerizzazione completa)
Evidenziare:

High Light

Evidenziare:

3.0 W/mK composto di potting termicamente conduttivo

,

composto di silicone per i moduli di alimentazione IGBT

,

UL94 Compound di incapsulamento per PCB V-0

Informazioni di trading
Quantità di ordine minimo:
1 chilogrammo
Imballaggi particolari:
20 kg/barile o 200 kg/fusto, imballaggio per l'esportazione con sigillo a prova di umidità e spe
Tempi di consegna:
3-5 giorni lavorativi per il campione, 7-15 giorni per l'ordine all'ingrosso
Termini di pagamento:
T/T,L/C,PayPal,Western Union
Capacità di alimentazione:
50000 chilogrammi al mese
Descrizione del prodotto

3.0 W/mK Silicone Termoconduttivo per Incapsulamento di Elettronica di Potenza

Il HN-8830A/B è un composto siliconico bicomponente a polimerizzazione per addizione ad alte prestazioni, ingegnerizzato per applicazioni esigenti nell'elettronica di potenza. Con una conducibilità termica di 3.0 W/m·K, leader del settore, dissipa efficientemente il calore da moduli IGBT, semiconduttori di potenza, circuiti BMS e assemblaggi PCB, garantendo affidabilità a lungo termine in condizioni di cicli termici estremi.

Caratteristiche Chiave e Vantaggi

  • Gestione Termica Superiore: Conducibilità termica di 3.0 W/m·K ottenuta tramite un impacchettamento ad alta densità di ossido di alluminio e nitruro di alluminio, superando i composti di incapsulamento standard da 1.0-2.0 W/mK.
  • Ottimizzato per Moduli di Potenza IGBT: Formulato specificamente per l'incapsulamento di moduli di potenza IGBT, MOSFET e SiC, prevenendo il runaway termico in applicazioni di commutazione ad alta potenza.
  • Ritardante di Fiamma UL94 V-0: Formulazione autoestinguente che soddisfa i più rigorosi requisiti di sicurezza antincendio per sistemi di batterie EV, infrastrutture di ricarica e alimentatori industriali.
  • Eccellente Isolamento Elettrico: Resistenza dielettrica ≥18 kV/mm fornisce un isolamento affidabile ad alta tensione per BMS, inverter di trazione e convertitori DC-DC.
  • Ampio Intervallo di Temperatura Operativa: Mantiene proprietà meccaniche ed elettriche stabili da -40°C a +150°C, adatto per ambienti automobilistici sotto il cofano e industriali esterni.
  • Bassa Viscosità e Autolivellante: La viscosità di 11.000±2.000 mPa·s consente una penetrazione completa in spazi ristretti del PCB e geometrie complesse dei moduli IGBT senza intrappolamento d'aria.
  • Conforme a RoHS e REACH: Completamente conforme alle normative ambientali UE per l'accettazione nella catena di approvvigionamento globale.

Applicazioni Target

Campo di ApplicazioneUsi Specifici
Veicoli Nuova Energia (EV)Caricatore On-Board (OBC), Sistema di Gestione Batteria (BMS), Convertitore DC-DC, Inverter di Trazione, Controller Motore, Controller Riscaldatore PTC
Elettronica di PotenzaIncapsulamento Moduli IGBT, Packaging Power MOSFET, Incapsulamento Dispositivi di Potenza SiC/GaN, Trasformatore Alta Tensione, Modulo di Correzione Fattore di Potenza (PFC)
Elettronica IndustrialeInverter a Frequenza Variabile (VFD), Servo Drive, UPS Industriale, Controller Saldatrice, Driver LED Alta Potenza
Sistemi di Accumulo EnergeticoSigillatura Moduli Pacco Batteria, Convertitore Accumulo Energetico (PCS), Inverter Grid-Tie, Scatola di Giunzione Solare
5G e TelecomunicazioniAlimentatore Stazione Base 5G, Incapsulamento RRU/AAU, Modulo Rettificatore Telecom

Specifiche Tecniche

ParametroValore
Aspetto (Parte A/B)Liquido Grigio / Liquido Trasparente o Giallastro
Rapporto di Miscelazione (A:B in Peso)1:1
Viscosità Miscelata11.000 ± 2.000 mPa·s @ 25°C
Tempo di Lavorabilità @ 25°C60-90 minuti
Tempo di Polimerizzazione @ 25°C4-6 ore (non appiccicoso), 24 ore (polimerizzazione completa)
Durezza45-50 Shore A
Conducibilità Termica3.0 W/m·K (ASTM D5470)
Resistenza Dielettrica≥18 kV/mm
Resistività Volumetrica≥1.0 * 10¹⁴ Ω·cm
Classificazione Ritardante di FiammaUL94 V-0 (Equivalente)
Intervallo di Temperatura-40°C a +150°C
Densità (Polimerizzato)2.65 ± 0.05 g/cm³
Ritiro Lineare<0.1%
Assorbimento d'Acqua (24h)<0.2%

Perché Scegliere HanasT HN-8830A/B?

In qualità di principale produttore di composti siliconici per incapsulamento in Cina, Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. offre servizi completi di personalizzazione OEM/ODM. La nostra struttura di 40.000 metri quadrati con tester avanzati di conducibilità termica, analizzatori laser della dimensione delle particelle e tester di resistenza dielettrica ad alta tensione garantisce una qualità costante lotto per lotto. Offriamo campioni gratuiti per la valutazione dei clienti, aggiustamenti di formulazione personalizzati per requisiti specifici di viscosità, durezza o conducibilità termica, e documentazione completa MSDS/TDS con ogni spedizione. Contatta oggi stesso il nostro team di ingegneri per discutere i requisiti del tuo progetto di incapsulamento IGBT, incapsulamento BMS o incapsulamento PCB.