Zu Hause > produits >
Wärmeleitfähige Pottingverbindung
>
3,0 W/mK thermisch leitfähige Silikon-Vergussmasse für IGBT-Leistungsmodul-BMS-Leiterplattenverkapselung UL94 V-0

3,0 W/mK thermisch leitfähige Silikon-Vergussmasse für IGBT-Leistungsmodul-BMS-Leiterplattenverkapselung UL94 V-0

Produktdetails:
Herkunftsort: Guangdong, China
Markenname: HanasT
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: HN-8830A/B
Einzelheiten
Herkunftsort:
Guangdong, China
Markenname:
HanasT
Zertifizierung:
ROHS
Modellnummer:
HN-8830A/B
Aussehen:
Graue Flüssigkeit (A+B-Komponenten)
Viskosität:
11000 ± 2000 mPa·s
Härte:
45-50 Shore A
Wärmeleitfähigkeit:
3,0 W/m·K
Flammhemmende Bewertung:
UL94 V-0
Temperaturbereich:
-40 ° C bis +150 ° C.
Kurieren der Art:
Zweikomponenten-Additionsvernetzung (Mischungsverhältnis 1:1)
Spannungsfestigkeit:
≥18 KV/mm
Dichte:
2,65 ± 0,05 g/cm³
Aushärtezeit bei 25°C:
4–6 Stunden (klebefrei), 24 Stunden (vollständige Aushärtung)
Hervorheben:

High Light

Hervorheben:

3

,

0 W/mK thermisch leitfähige Vergussmasse

,

Silikon-Vergussmasse für IGBT-Leistungsmodule

Handelsinformationen
Min Bestellmenge:
1 Kilogramm
Verpackung Informationen:
20 kg/Fass oder 200 kg/Fass, Exportverpackung mit feuchtigkeitsbeständigem Verschluss und palettiert
Lieferzeit:
3–5 Werktage für Muster, 7–15 Tage für Großbestellungen
Zahlungsbedingungen:
T/T, L/C, PayPal, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
50000 Kilogramm pro Monat
Beschreibung des Produkts

3.0 W/mK Wärmeleitfähige Silikon-Potting-Verbindung für die Verkapselung von Leistungselektronik

DieHN-8830A/Bist eine hochleistungsfähige Zwei-Komponenten-Zusatz-Härtung-Silicon-Potting-Verbindung, die für anspruchsvolle Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurde.3.0 W/m·K Wärmeleitfähigkeit, die Wärme von IGBT-Modulen, Leistungshalbleitern, BMS-Schaltkreisen und PCB-Baubaugruppen effizient abführt und eine langfristige Zuverlässigkeit unter extremen thermischen Zyklusbedingungen gewährleistet.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Überlegene thermische Steuerung:3.0 W/m·K Wärmeleitfähigkeit durch hochdichte Aluminium-Oxid- und Aluminiumnitrid-Füllstoffverpackungen erreicht, die die Standardverbindungen mit 1,0-2,0 W/mK übertrifft.
  • IGBT-Leistungsmodul optimiert:Speziell für die Verkapselung von IGBT-, MOSFET- und SiC-Leistungsmodulen entwickelt, um thermische Ausfälle bei Hochleistungs-Schaltanwendungen zu verhindern.
  • UL94 V-0 Flammschutz:Die selbstlöschende Formulierung erfüllt die strengsten Brandschutzanforderungen für EV-Batteriesysteme, Ladeinfrastruktur und industrielle Stromversorgungen.
  • Ausgezeichnete elektrische Isolierung:Die dielektrische Festigkeit von ≥ 18 kV/mm stellt eine zuverlässige Hochspannungsisolation für BMS, Traktionsumrichter und Gleichspannungsumrichter bereit.
  • Umfassende Betriebstemperatur:Beibehält stabile mechanische und elektrische Eigenschaften von -40 °C bis +150 °C, geeignet für unter der Motorhaube befindliche Automobil- und Industrieumgebungen im Freien.
  • Niedrige Viskosität und Selbstnivelation:11Die Viskosität von,000±2,000 mPa·s ermöglicht eine vollständige Durchdringung in enge PCB-Lücken und komplexe IGBT-Modulgeometrien ohne Luftbindung.
  • RoHS- und REACH-konform:Vollständig konform mit den EU-Umweltvorschriften für die weltweite Akzeptanz der Lieferkette.

Zielanwendungen

AnwendungsbereichSpezifische Verwendungszwecke
Neue EnergiefahrzeugeAn Bord befindliches Ladegerät (OBC), Batteriemanagementsystem (BMS), Gleichspannungsumrichter, Traktionsumrichter, Motorsteuerung, PTC-Heizungsteuerung
ElektroelektronikIGBT-Modulverkapselung, Leistungs-MOSFET-Verpackung, SiC/GaN-Leistungsgerät-Potting, Hochspannungstransformator, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) -Modul
IndustrieelektronikVariable Frequency Drive (VFD), Servo Drive, Industrie-UPS, Schweißmaschinensteuerung, Hochleistungs-LED-Treiber
EnergiespeichersystemeVersiegelung des Batteriepaketmoduls, Energiespeicherkonverter (PCS), Netzverlagerungsinverter, Solarverbindungskasse
5G und TelekommunikationStromversorgung der 5G-Basisstation, RRU/AAU-Einkapselung, Telekommunikationskorrekturmodul

Technische Spezifikation

ParameterWert
Aussehen (Teil A/B)Graue Flüssigkeit / durchsichtige bis leicht gelbe Flüssigkeit
Mischungsverhältnis (A:B nach Gewicht)1:1
Gemischte Viskosität11,000 ± 2000 mPa·s @ 25°C
Lebensdauer der Töpfe @ 25°C60 bis 90 Minuten
Haltbarkeitszeit @ 25°C4-6 Stunden (tackfrei), 24 Stunden (vollständig geheilt)
Härte45-50 Ufer A
Wärmeleitfähigkeit3.0 W/m·K (ASTM D5470)
Dielektrische Festigkeit≥ 18 kV/mm
Volumenwiderstand≥ 1,0 * 1014 Ω·cm
FlammschutzUL94 V-0 (Äquivalent)
Temperaturbereich-40°C bis +150°C
Dichte (geheilt)2.65 ± 0,05 g/cm3
Lineare Schrumpfung< 0,1%
Absorption von Wasser (24h)< 0,2%

Warum haben Sie sich für HanasT HN-8830A/B entschieden?

Als HauptrolleHersteller von Silikon-Potting-Verbindungen in China, Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. bietet vollständige OEM / ODM-Anpassungsdienste.und Hochspannungs-Dielektrofesterstärken-Tester sorgt für eine gleichbleibende ChargenqualitätWir bietenKostenlose Probenfür die Bewertung durch den Kunden, individuelle Anpassungen der Formulierung für spezifische Anforderungen an Viskosität, Härte oder Wärmeleitfähigkeit und umfassende MSDS/TDS-Dokumentation bei jeder Sendung.Kontaktieren Sie heute noch unser Ingenieursteam, um IhreIGBT-Potting,BMS-Kapselung, oderPCB-PottingProjektanforderungen.