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3.0 W/mK Composto de silicone com potência térmica condutiva para módulo de alimentação IGBT BMS PCB encapsulamento UL94 V-0

3.0 W/mK Composto de silicone com potência térmica condutiva para módulo de alimentação IGBT BMS PCB encapsulamento UL94 V-0

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Cantão, China
Marca: HanasT
Certificação: ROHS
Número do modelo: HN-8830A/B
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Cantão, China
Marca:
HanasT
Certificação:
ROHS
Número do modelo:
HN-8830A/B
Aparência:
Líquido Cinzento (Componentes A+B)
Viscosidade:
11.000±2.000 mPa·s
Dureza:
45-50 Costa A
Condutividade Térmica:
3,0 W/m·K
Classificação retardante de chama:
UL94 V-0
Faixa de temperatura:
-40 ° C a +150 ° C.
Curando o tipo:
Cura de adição de dois componentes (proporção de mistura de 1:1)
Rigidez dielétrica:
≥18 KV/mm
Densidade:
2,65±0,05g/cm³
Tempo de cura a 25°C:
4-6 horas (sem pegajosidade), 24 horas (cura completa)
Destacar:

High Light

Destacar:

3.0 W/mK Composto de vasilha com condutividade térmica

,

composto de silicone para o módulo de alimentação IGBT

,

Compostos de encapsulamento de PCB UL94 V-0

Informações de negociação
Quantidade de ordem mínima:
1 kg
Detalhes da embalagem:
20kg/barril ou 200kg/tambor, embalagem para exportação com selo à prova de umidade e envio paletizad
Tempo de entrega:
3-5 dias úteis para amostra, 7-15 dias para pedido em grandes quantidades
Termos de pagamento:
T/T, L/C, PayPal, Western Union
Habilidade da fonte:
50.000 quilogramas por mês
Descrição do produto

3.0 W/mK Composto de silicone com condutor térmico para encapsulamento de electrónica de potência

OHN-8830A/Bé um composto de potagem de silicone de dois componentes de alto desempenho, de curado adicional, projetado para aplicações de eletrônica de potência exigentes.3.0 W/m·K condutividade térmica, dissipa eficientemente o calor dos módulos IGBT, semicondutores de potência, circuitos BMS e conjuntos de PCB, garantindo confiabilidade a longo prazo sob condições de ciclo térmico extremas.

Principais características e vantagens

  • Gestão térmica superior:3.0 W/m·K de condutividade térmica obtida através de embalagens de enchimento de óxido de alumínio e nitruro de alumínio de alta densidade, superando os compostos padrão de potting de 1,0-2,0 W/mK.
  • Módulo de alimentação IGBT otimizado:Especificamente formulado para encapsulamento de módulos de potência IGBT, MOSFET e SiC, evitando a fuga térmica em aplicações de comutação de alta potência.
  • Resistência à chama UL94 V-0:A formulação auto-extinguível cumpre os requisitos mais rigorosos de segurança contra incêndio para sistemas de baterias de veículos elétricos, infraestrutura de carregamento e fontes de alimentação industriais.
  • Excelente isolamento elétrico:A resistência dielétrica ≥ 18 kV/mm fornece isolamento de alta tensão confiável para BMS, inversores de tração e conversores DC-DC.
  • Temperatura de funcionamento em larga distância:Mantenha propriedades mecânicas e elétricas estáveis de -40°C a +150°C, adequado para ambientes industriais automotivos e ao ar livre.
  • Baixa viscosidade e auto-nivelação:11A viscosidade de 0,000±2,000 mPa·s permite a penetração completa em espaços apertados de PCB e geometrias complexas de módulos IGBT sem atração de ar.
  • RoHS & REACH Compliant:Compatibilidade total com os regulamentos ambientais da UE para aceitação global da cadeia de abastecimento.

Aplicações-alvo

Área de aplicaçãoUtilizações específicas
Veículos de energia nova (VE)Carregador de bordo (OBC), Sistema de gestão de baterias (BMS), Conversor CC-CC, Inversor de tração, Controlador de motor, Controlador de aquecimento PTC
Eletrónica de potênciaEncapsulamento do módulo IGBT, Embalagem de MOSFET de potência, Encapsulamento do dispositivo de potência SiC/GaN, Transformador de alta tensão, Módulo de correção do fator de potência (PFC)
Eletrónica industrialMotor de frequência variável (VFD), Servo Drive, UPS industrial, controlador de máquina de solda, condutor LED de alta potência
Sistemas de armazenamento de energiaSelamento do módulo do pacote de baterias, conversor de armazenamento de energia (PCS), inversor de rede, caixa de junção solar
5G e TelecomunicaçõesFornecimento de energia para estações de base 5G, encapsulamento RRU/AAU, módulo rectificador de telecomunicações

Especificações técnicas

ParâmetroValor
Aparência (parte A/B)Líquido cinzento / líquido transparente a ligeiramente amarelo
Relação de mistura (A:B em peso)1:1
Viscosidade mista11,000 ± 2000 mPa·s @ 25°C
Período de vida útil da panela @ 25°C60 a 90 minutos
Tempo de cura @ 25°C4 a 6 horas (sem taco), 24 horas (curação completa)
Dureza45-50 Costa A
Conductividade térmica3.0 W/m·K (ASTM D5470)
Força dielétrica≥ 18 kV/mm
Resistividade de volume≥ 1,0 * 1014 Ω·cm
Classificação de retardador de chamaUL94 V-0 (Equivalente)
Intervalo de temperatura-40°C a +150°C
Densidade (curada)20,65 ± 0,05 g/cm3
Redução linear< 0,1%
Absorção de água (24h)< 0,2%

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