Compuesto de encapsulación de silicona con conductividad térmica de 3,0 W/mK para encapsulación de PCB de módulos de potencia IGBT y BMS, UL94 V-0

Compuesto de encapsulación de silicona con conductividad térmica de 3,0 W/mK para encapsulación de electrónica de potencia

El HN-8830A/B es un compuesto de encapsulación de silicona de alto rendimiento, de dos componentes y curado por adición, diseñado para aplicaciones exigentes en electrónica de potencia. Con una conductividad térmica líder en la industria de 3,0 W/m·K, disipa eficientemente el calor de módulos IGBT, semiconductores de potencia, circuitos BMS y ensamblajes de PCB, garantizando una fiabilidad a largo plazo en condiciones de ciclos térmicos extremos.

Características y Ventajas Clave

• Gestión Térmica Superior: Conductividad térmica de 3,0 W/m·K lograda mediante un empaquetado de alta densidad de óxido de aluminio y nitruro de aluminio, superando a los compuestos de encapsulación estándar de 1,0-2,0 W/mK.
• Optimizado para Módulos de Potencia IGBT: Formulado específicamente para la encapsulación de módulos de potencia IGBT, MOSFET y SiC, previniendo la fuga térmica en aplicaciones de conmutación de alta potencia.
• Retardancia a la Llama UL94 V-0: Formulación autoextinguible que cumple los requisitos más estrictos de seguridad contra incendios para sistemas de baterías de vehículos eléctricos, infraestructura de carga y fuentes de alimentación industriales.
• Excelente Aislamiento Eléctrico: Resistencia dieléctrica ≥18 kV/mm que proporciona un aislamiento fiable de alto voltaje para BMS, inversores de tracción y convertidores DC-DC.
• Amplio Rango de Temperatura de Operación: Mantiene propiedades mecánicas y eléctricas estables de -40°C a +150°C, adecuado para entornos automotrices bajo el capó e industriales exteriores.
• Baja Viscosidad y Autonivelación: Viscosidad de 11.000±2.000 mPa·s que permite una penetración completa en espacios estrechos de PCB y geometrías complejas de módulos IGBT sin atrapamiento de aire.
• Cumple con RoHS y REACH: Cumple totalmente con las regulaciones medioambientales de la UE para la aceptación en la cadena de suministro global.

Aplicaciones Objetivo

Especificaciones Técnicas

¿Por qué elegir HanasT HN-8830A/B?

Como fabricante líder de compuestos de encapsulación de silicona en China, Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. ofrece servicios completos de personalización OEM/ODM. Nuestras instalaciones de 40.000 metros cuadrados con probadores avanzados de conductividad térmica, analizadores de tamaño de partícula láser y probadores de resistencia dieléctrica de alto voltaje garantizan una calidad constante de lote a lote. Ofrecemos muestras gratuitas para evaluación del cliente, ajustes de formulación personalizados para requisitos específicos de viscosidad, dureza o conductividad térmica, y documentación completa de MSDS/TDS con cada envío. Póngase en contacto con nuestro equipo de ingeniería hoy mismo para discutir los requisitos de su proyecto de encapsulación de IGBT, encapsulación de BMS o encapsulación de PCB.