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L'ultimo caso della compagnia su Shenzhen Hanast New Material co.,LTD certificazioni

Modulo di potenza intelligente per inverter fotovoltaico (IPM)

2025-09-11

Scenario applicativo: incapsulamento di moduli di potenza IGBT/SiC in inverter fotovoltaici.

Sfida: Il ciclo di potenza frequente genera un significativo stress termico, che può portare a cricche da fatica nello strato di saldatura dei materiali di incapsulamento rigidi, causando guasti termici.

Soluzione: Utilizzo di un gel siliconico a bassissimo stress e ad alta conducibilità termica al posto della tradizionale resina epossidica per l'incapsulamento.

Vantaggio: La natura morbida del gel siliconico assorbe efficacemente lo stress termico, prevenendo la delaminazione del chip e la rottura dei fili di collegamento. La sua elevata conducibilità termica garantisce una dissipazione del calore efficiente, migliorando significativamente la durata del ciclo di potenza e l'affidabilità del modulo.

1210, blocco B, edificio 6, Hengda Shishang Huigu, Shenzhen, Guangdong, Cina E-mail: sales11@hanastsilicone.com Tel: +8613670122311 Tel: +8613670122311

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