2026-11-09
Un fournisseur de systèmes de gestion de batterie (BMS) de niveau 1 desservant des équipementiers de véhicules électriques et de stockage d'énergie en Asie du Sud-Est a contacté Hanast avec un goulot d'étranglement thermique important. Sa carte maîtresse BMS de nouvelle génération embarquait 48 MOSFET et des résistances shunt dans un boîtier en aluminium étanche IP67. Lors des tests de décharge continue de 120 A, les températures de jonction de l'étage de puissance atteignaient 118 °C par rapport à une cible de 95 °C fixée par l'équipementier automobile, obligeant le client à réduire la puissance d'environ 18 % et retardant la date de mise en service de la plateforme.
L'interface existante était une graisse thermique de 1,8 W/mK appliquée à une épaisseur de ligne de collage de 80 µm (BLT). Deux défaillances sont apparues en laboratoire : une conductivité de masse insuffisante et un pompage de la graisse après cyclage thermique, ce qui a augmenté la résistance thermique de 22 % en 300 cycles dans des tests de choc de -40 °C à 150 °C.
Hanast a recommandé la série HNS-TG300, une graisse thermique silicone non durcissante remplie d'un système hybride d'oxyde d'aluminium et d'oxyde de zinc. La formulation combine une conductivité de masse de 3,0 W/mK avec une rhéologie thixotrope qui maintient sa forme pendant le dosage, de sorte que le matériau s'étale pour former une ligne de collage fine et uniforme au lieu de s'écouler loin de la zone de la puce.
| Propriété | Méthode de test | HNS-TG300 |
|---|---|---|
| Conductivité thermique | ASTM D5470 | 3,0 W/mK |
| Impédance thermique à 50 µm BLT | ASTM D5470 | 0,12 °C·cm²/W |
| Saignement d'huile, 24 h à 200 °C | Méthode FTMS 791-321 | < 0,8 % |
| Évaporation, 24 h à 200 °C | Méthode FTMS 791-321 | < 0,5 % |
| Plage de fonctionnement | Rhénomètre / TGA | -50 °C à 200 °C |
| Résistivité volumique | ASTM D257 | 1,0 × 1014 Ω·cm |
| Classification d'inflammabilité | UL 94 | V-0 |
| Paramètre | Graisse existante de 1,8 W/mK | HNS-TG300 3,0 W/mK | Changement |
|---|---|---|---|
| Température de jonction du MOSFET à 120 A | 118 °C | 97 °C | -21 °C |
| Résistance thermique après 300 cycles | Dérive de +22 % | Dérive de +3 % | Pompage éliminé |
| Épaisseur de ligne de collage | 80 µm | 42 µm | -47 % |
| Réduction de puissance nécessaire | 18 % | 0 % | Sortie nominale complète |
Les cartes BMS sont thermiquement denses et mécaniquement contraintes : les semi-conducteurs de puissance sont proches des circuits de détection sensibles à la température, et le boîtier est généralement scellé pour IP67. Une graisse thermique qui pompe ne perd pas simplement de performance, elle change de performance au cours de la vie du véhicule, c'est pourquoi les programmes automobiles spécifient de plus en plus la stabilité des cycles plutôt que la seule conductivité de la fiche technique. Choisir un grade de 3,0 W/mK avec un saignement d'huile contrôlé et une résistance au pompage prouvée est le moyen le moins cher de maintenir la marge de température de jonction sans ajouter de masse au dissipateur thermique.
Shenzhen Hanast New Material Co., Ltd. fabrique des silicones liquides RTV-2, des composés d'encapsulation et des matériaux d'interface thermique depuis 2010. Avec une base de production de 40 000 m² et 70 à 80 % de sa production exportée, Hanast fournit des solutions d'encapsulation et de gestion thermique à des clients B2B mondiaux, notamment ABB, Apple, Foxconn et BYD. L'entreprise propose des formulations OEM/ODM, un étiquetage privé et une documentation technique complète pour les programmes automobiles et industriels.