Przezroczysty, szybko utwardzalny silikonowy związek zalewowy HN-8808 25A ODM do enkapsulacji modułów IGBT i ochrony diod LED
Przezroczysty, szybko utwardzalny silikonowy związek zalewowy HN-8808
HN-8808 to dwuskładnikowy, przezroczysty, szybko utwardzalny silikonowy związek zalewowy, zoptymalizowany do enkapsulacji modułów mocy IGBT i ochrony wysokonapięciowych układów diod LED. Osiąga pełne utwardzenie w ciągu 8-12 godzin w temperaturze pokojowej z czasem życia mieszanki 1-2 godziny — równoważąc szybkość produkcji z wystarczającym czasem pracy. Połączenie wytrzymałości dielektrycznej 18-25 kV/mm, niskiej stałej dielektrycznej 2,5-3,0 i elastycznego odprężenia naprężeń Shore A 25 sprawia, że jest idealny do montażu półprzewodników mocy. Pełna personalizacja ODM z naszego zakładu o powierzchni 40 000 m² w Shenzhen.
Kluczowe cechy
⚡ Zoptymalizowana izolacja dla modułów IGBT
Zaprojektowany specjalnie do enkapsulacji modułów mocy IGBT, gdzie kluczowe są wysoka wytrzymałość dielektryczna (18-25 kV/mm) i niskie straty dielektryczne (≤4×10⁻³ przy 1 MHz). Niska stała dielektryczna 2,5-3,0 minimalizuje pojemność pasożytniczą i straty przełączania w wysokoczęstotliwościowych obwodach konwersji mocy, napędach silników i falownikach trakcyjnych.
⏱️ Szybkie utwardzanie w 8-12 godzin w temperaturze pokojowej
Pełne utwardzenie enkapsulacji w zaledwie 8-12 godzin w temperaturze otoczenia 25 °C — znacznie szybciej niż wiele konkurencyjnych formulacji wymagających ponad 24 godzin. Redukuje to zapasy produkcji w toku i przyspiesza przepustowość produkcji. Czas życia mieszanki 1-2 godziny pozwala na mieszanie jednorazowe dla dużych lub wielu modułów IGBT bez pośpiechu.
💡 Wysokonapięciowa enkapsulacja diod LED
Przezroczysta formulacja zapewnia przejrzystość optyczną dla modułów LED COB, jednocześnie zapewniając 18-25 kV/mm izolacji dla wysokonapięciowych łańcuchów diod LED (systemy 277V, 347V, 480V). Nie żółknie pod wpływem długotrwałego ciepła diod LED i ekspozycji na promieniowanie UV. Doskonałe odprowadzanie ciepła przez ścieżkę 0,1-0,20 W/m·K do zarządzania temperaturą złącza diody LED.
🏭 Szybkie ścieżki produkcyjne ODM
Dostosuj lepkość, twardość, kolor i profil utwardzania do swojej linii produkcyjnej IGBT lub LED. Nasz zakład o powierzchni 40 000 m² z dedykowanym laboratorium badawczo-rozwojowym dostarcza próbki niestandardowych formulacji w ciągu 3-5 dni roboczych. Produkcja wielotonowa z rygorystyczną spójnością partii ISO 9001. Pełna dokumentacja MSDS i TDS z każdą przesyłką.
🔬 Niskie straty dielektryczne w elektronice mocy
Współczynnik strat dielektrycznych ≤ 4×10⁻³ przy 1 MHz zapewnia minimalne rozpraszanie energii w zastosowaniach przełączania wysokiej częstotliwości. W połączeniu z stałą dielektryczną 2,5-3,0, ten związek jest idealny do modułów mocy SiC i GaN o szerokiej przerwie energetycznej pracujących z częstotliwościami powyżej 100 kHz, gdzie ogrzewanie dielektryczne w przeciwnym razie ograniczałoby wydajność.
🛡️ Odprężenie termiczne dla modułów mocy
Miękki elastyczny żel Shore A 25 pochłania naprężenia wynikające z niedopasowania CTE między szynami miedzianymi, podłożami ceramicznymi (Al₂O₃/AlN) a enkapsulantem żelowym w modułach IGBT. Zapobiega odspajaniu się wiązań drutowych i zmęczeniu lutu podczas cyklicznego obciążenia mocą od -57 °C rozruchu na zimno do 250 °C temperatury złącza.
Docelowe zastosowania
| Zastosowanie |
Przypadek użycia |
Dlaczego HN-8808 |
| Moduły mocy IGBT |
Przemysłowe napędy silników, falowniki trakcyjne, systemy UPS, zasilacze spawalnicze |
18-25 kV/mm, Dk 2,5-3,0, Df ≤4×10⁻³, odprężenie 25A |
| Wysokonapięciowe systemy LED |
Sterowniki LED 347V/480V, oświetlenie stadionowe, układy LED do uprawy roślin |
Przezroczysty, nieżółknący, lekki 0,98, ścieżka termiczna |
| Opakowania półprzewodników mocy |
Moduły SiC MOSFET, obudowy GaN HEMT, układy diod mocy |
Niski Df przy 1 MHz dla przełączania 100 kHz+, kompatybilny z szeroką przerwą energetyczną |
| Przemysłowe zasilacze |
Wysokowydajne SMPS, konwertery mocy kolejowej, moduły stacji ładowania pojazdów elektrycznych |
Szybkie utwardzanie 8-12h, czas życia mieszanki 1-2h, zakres temperatur -57 °C do 250 °C |
Specyfikacje techniczne
| Właściwość |
Wartość |
| Wygląd |
Przezroczysty / Biały / Szary płyn |
| Lepkość A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Ciężar właściwy |
0,98 |
| Twardość |
Shore A 25 (elastyczny żel) |
| Wytrzymałość dielektryczna |
18-25 kV/mm |
| Rezystywność objętościowa |
≥1×10⁴ Ω·cm |
| Stała dielektryczna (1 MHz) |
2,5-3,0 |
| Straty dielektryczne (1 MHz) |
≤4×10⁻³ |
| Przewodność cieplna |
0,1-0,20 W/m·K |
| Czas pracy w temperaturze 25 °C |
1-2 godziny |
| Czas utwardzania w temperaturze 25 °C |
8-12 godzin |
| Zakres temperatur |
-57 °C do 250 °C |
Rozwiązania zalewowe ODM dla IGBT i LED
Niestandardowe formulacje dielektryczne, termiczne i szybkości utwardzania dla Twojego modułu mocy lub zastosowania LED. Zakład z certyfikatem ISO 9001 o powierzchni 40 000 m². Próbne partie w ciągu 3-5 dni roboczych.
Ogólna ocena
Migawka oceny
Poniżej przedstawiono rozkład wszystkich ratingówWszystkie recenzje