خونه > محصولات >
ترکیب سیلیکونی
>
ترکیبات سیلیکون پوتینگ شفاف سریع HN-8808 25A ODM برای محافظت از محفظه LED ماژول IGBT

ترکیبات سیلیکون پوتینگ شفاف سریع HN-8808 25A ODM برای محافظت از محفظه LED ماژول IGBT

جزئیات محصول:
محل منبع: گوانگدونگ، چین
نام تجاری: Hanast
گواهی: RoHS, REACH
شماره مدل: HN-8808
اطلاعات دقیق
محل منبع:
گوانگدونگ، چین
نام تجاری:
Hanast
گواهی:
RoHS, REACH
شماره مدل:
HN-8808
مدل محصول:
HN-8808
نسبت اختلاط:
10:1 (A:B بر حسب وزن)
ظاهر:
مایع شفاف / سفید / خاکستری
ویسکوزیته a:
2000 mPa·s
ویسکوزیته ب:
50 mPa·s
وزن مخصوص:
0.98
سختی:
Shore A 25 (ژل انعطاف پذیر)
قدرت دی الکتریک:
18-25 کیلو ولت بر میلی متر
مقاومت حجمی:
≥1×10^14 Ω· سانتی متر
ثابت دی الکتریک (1 مگاهرتز):
2.5-3.0
تلفات دی الکتریک (1 مگاهرتز):
≤4×10^-3
هدایت حرارتی:
0.1-0.20 W/m·K
زمان کارکرد در 25 درجه سانتی گراد:
1-2 ساعت
زمان پخت در 25 درجه سانتی گراد:
8-12 ساعت
محدوده دما:
-57 درجه سانتیگراد تا 250 درجه سانتیگراد
برجسته کردن:

High Light

برجسته کردن:

پوشش شفاف سریع پخت

,

کپسول LED ماژول IGBT

,

سیلیکون انعطاف پذیر 25 آمپر ODM

اطلاعات تجاری
مقدار حداقل تعداد سفارش:
1 مجموعه
قیمت:
قابل مذاکره
جزئیات بسته بندی:
بشکه پلاستیکی 10 کیلوگرمی / 20 کیلوگرمی، کارتن موجدار درجه صادرات.
زمان تحویل:
3-5 روز کاری برای نمونه، 7-15 روز برای سفارش فله
شرایط پرداخت:
T/T، L/C، PayPal، WU
قابلیت ارائه:
500 کیلوگرم در ماه
توضیحات محصول
ترکیب سیلیکونی شفاف و سریع پخت HN-8808 25A ODM برای ماژول IGBT و پوشش محافظ LED
ترکیب سیلیکونی شفاف و سریع پخت HN-8808
HN-8808 یک ترکیب سیلیکونی دو جزئی شفاف و سریع پخت است که برای پوشش ماژول قدرت IGBT و محافظت از آرایه LED ولتاژ بالا بهینه شده است. در دمای اتاق در 8 تا 12 ساعت کاملاً پخت می‌شود و عمر کاری 1 تا 2 ساعت دارد - تعادلی بین سرعت تولید و زمان کاری کافی. ترکیب استحکام دی‌الکتریک 18-25 کیلو ولت بر میلی‌متر، ثابت دی‌الکتریک پایین 2.5-3.0 و انعطاف‌پذیری Shore A 25 برای کاهش تنش، آن را برای مونتاژهای نیمه‌هادی قدرت ایده‌آل می‌سازد. سفارشی‌سازی کامل ODM از تأسیسات 40,000 متر مربعی ما در شنژن.
ویژگی‌های کلیدی
⚡ عایق بهینه شده برای ماژول IGBT
مهندسی شده برای پوشش ماژول قدرت IGBT که در آن مقاومت دی‌الکتریک بالا (18-25 کیلو ولت بر میلی‌متر) و تلفات دی‌الکتریک پایین (≤4×10⁻³ در 1 مگاهرتز) حیاتی هستند. ثابت دی‌الکتریک پایین 2.5-3.0 ظرفیت خازنی پارازیتی و تلفات سوئیچینگ را در مدارهای تبدیل قدرت فرکانس بالا، درایوهای موتور و اینورترهای کششی به حداقل می‌رساند.
⏱️ پخت سریع 8 تا 12 ساعته در دمای اتاق
پخت کامل پوشش در فقط 8 تا 12 ساعت در دمای محیط 25 درجه سانتی‌گراد - به طور قابل توجهی سریع‌تر از بسیاری از فرمولاسیون‌های رقیب 24+ ساعته. این امر موجودی کالای در حال ساخت را کاهش داده و توان تولید را تسریع می‌بخشد. عمر کاری 1 تا 2 ساعته امکان مخلوط کردن یکباره برای مونتاژهای بزرگ یا متعدد ماژول IGBT را بدون عجله فراهم می‌کند.
💡 پوشش LED ولتاژ بالا
فرمولاسیون شفاف، شفافیت نوری را برای ماژول‌های LED COB فراهم می‌کند و در عین حال عایق 18-25 کیلو ولت بر میلی‌متر را برای رشته‌های LED ولتاژ بالا (سیستم‌های 277 ولت، 347 ولت، 480 ولت) ارائه می‌دهد. در برابر حرارت LED و نور UV پایدار، زرد نمی‌شود. اتلاف حرارتی عالی از طریق مسیر 0.1-0.20 وات بر متر کلوین برای مدیریت دمای پیوند LED.
🏭 تولید سریع ODM
ویسکوزیته، سختی، رنگ و پروفایل پخت را برای خط تولید IGBT یا LED خود سفارشی کنید. تأسیسات 40,000 متر مربعی ما با آزمایشگاه تحقیق و توسعه اختصاصی، نمونه‌های فرمولاسیون سفارشی را در 3 تا 5 روز کاری ارائه می‌دهد. تولید بچ‌های چند تنی با سازگاری دقیق ایزو 9001 بچ به بچ. مستندات کامل MSDS و TDS با هر محموله.
🔬 تلفات دی‌الکتریک پایین در الکترونیک قدرت
ضریب تلفات دی‌الکتریک ≤ 4×10⁻³ در 1 مگاهرتز حداقل اتلاف انرژی را در کاربردهای سوئیچینگ فرکانس بالا تضمین می‌کند. همراه با ثابت دی‌الکتریک 2.5-3.0، این ترکیب برای ماژول‌های قدرت نیمه‌هادی باند گپ عریض SiC و GaN که در فرکانس‌های بالاتر از 100 کیلوهرتز کار می‌کنند و در غیر این صورت گرمایش دی‌الکتریک عملکرد را محدود می‌کند، ایده‌آل است.
🛡️ کاهش تنش حرارتی برای ماژول‌های قدرت
ژل انعطاف‌پذیر نرم Shore A 25 تنش عدم تطابق CTE بین باس‌بارهای مسی، زیرلایه‌های سرامیکی (Al₂O₃/AlN) و پوشش ژل سیلیکونی در ماژول‌های IGBT را جذب می‌کند. از بلند شدن سیم اتصال و خستگی لحیم در طول چرخه قدرت از شروع سرد -57 درجه سانتی‌گراد تا دمای پیوند 250 درجه سانتی‌گراد جلوگیری می‌کند.
کاربردهای هدف
کاربرد مورد استفاده چرا HN-8808
ماژول‌های قدرت IGBT درایوهای موتور صنعتی، اینورترهای کششی، سیستم‌های UPS، منابع تغذیه جوش 18-25 کیلو ولت بر میلی‌متر، Dk 2.5-3.0، Df ≤4×10⁻³، کاهش تنش 25A
سیستم‌های LED ولتاژ بالا درایورهای LED 347 ولت/480 ولت، نورپردازی استادیوم، آرایه‌های LED باغبانی شفاف، بدون زردی، وزن سبک 0.98، مسیر حرارتی
بسته‌بندی نیمه‌هادی قدرت ماژول‌های SiC MOSFET، بسته‌های GaN HEMT، مونتاژهای دیود قدرت Df پایین در 1 مگاهرتز برای سوئیچینگ 100 کیلوهرتز به بالا، سازگار با باند گپ عریض
منابع تغذیه صنعتی SMPS با توان بالا، مبدل‌های قدرت راه‌آهن، ماژول‌های ایستگاه شارژ EV پخت سریع 8-12 ساعت، عمر کاری 1-2 ساعت، محدوده دمایی -57 درجه سانتی‌گراد تا 250 درجه سانتی‌گراد
مشخصات فنی
ویژگی مقدار
ظاهر مایع شفاف / سفید / خاکستری
ویسکوزیته A / B 2000 mPa·s / 50 mPa·s
چگالی نسبی 0.98
سختی Shore A 25 (ژل انعطاف‌پذیر)
استحکام دی‌الکتریک 18-25 کیلو ولت بر میلی‌متر
مقاومت حجمی ≥1×10¹⁴ Ω·cm
ثابت دی‌الکتریک (1MHz) 2.5-3.0
تلفات دی‌الکتریک (1MHz) ≤4×10⁻³
هدایت حرارتی 0.1-0.20 وات بر متر کلوین
زمان کار در دمای 25 درجه سانتی‌گراد 1-2 ساعت
زمان پخت در دمای 25 درجه سانتی‌گراد 8-12 ساعت
محدوده دما -57 درجه سانتی‌گراد تا 250 درجه سانتی‌گراد
راهکارهای پوشش ODM برای IGBT و LED
فرمولاسیون‌های سفارشی دی‌الکتریک، حرارتی و سرعت پخت برای ماژول قدرت یا کاربرد LED شما. تأسیسات 40,000 متر مربعی دارای گواهینامه ISO 9001. نمونه بچ‌ها در 3 تا 5 روز کاری.
امتیازها و بررسی‌ها

امتیاز کلی

5.0
بر اساس 50 بررسی برای این تامین کننده

عکس درجه بندی

در زیر توزیع تمام امتیازات است.
5 ستاره‌ها
100%
4 ستاره‌ها
0%
3 ستاره‌ها
0%
2 ستاره‌ها
0%
1 ستاره‌ها
0%

تمام بررسی ها

J
J*e
Japan Jul 20.2026
Price and quality are our top priorities—I've been in this trade for years, and they truly stand out.
J
J*e
Japan Jul 20.2026
Price and quality are our top priorities—I've been in this trade for years, and they truly stand out.