สารประกอบซิลิโคนป็อตติ้ง HN-8808 25A ODM สําหรับ IGBT Module LED
สารประกอบซิลิโคนป็อตเทป HN-8808
HN-8808 คือสารประกอบซิลิโคนประกอบสององค์ประกอบกระป๋องใสปรับปรุงเพื่อการคัดกรองโมดูลพลังงาน IGBTและความดันสูงการป้องกันระบบ LEDจะรักษาได้อย่างสมบูรณ์8-12 ชั่วโมงที่อุณหภูมิห้องผสมผสานของวัตถุประกอบการและการผลิตความเข้มข้นแบบดียิเลคทริก 18-25 kV/mm, ต่ํา 2.5-3.0 สถาน Dielectric, และ Shorre A 25 ความอ่อนแอความอืดหยุ่นทําให้มันเหมาะสมสําหรับการประกอบการครึ่งตัวนํากําลังการปรับแต่ง ODMจากโรงงานขนาด 40,000 ตารางเมตรของเราที่เชนเจ่น
ลักษณะสําคัญ
โมดูล IGBT ปรับปรุงการกันความร้อน
ออกแบบมาเพื่อการคัดกรองโมดูลพลังงาน IGBTซึ่งความทนทานแบบดียิเลคทริกสูง (18-25 kV/mm) และการสูญเสียแบบดียิเลคทริกต่ํา (≤4 × 10−3 ที่ 1 MHz) เป็นสิ่งสําคัญสถาน Dielectric ต่ํา 2.5-3.0ลดความเสียของพยาธิและการสลับในวงจรแปลงพลังงานความถี่สูง เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์ และเครื่องเปลี่ยนแรงดึง
️ 8-12 ชั่วโมง รวดเร็วห้องพัก Temp รักษา
การรักษาโดยครบถ้วนในเพียง8-12 ชั่วโมงที่อุณหภูมิ 25 °C✅เร็วขึ้นมาก กว่าหลายรูปแบบที่แข่งขัน 24 + ชั่วโมงอายุการใช้งาน 1-2 ชั่วโมงทําให้การผสมชุดเดียวสําหรับการประกอบโมดูล IGBT ใหญ่หรือหลายชิ้นโดยไม่ต้องรีบ.
ราคาขายในประเทศไทย
สูตรโปร่งใสทําให้ความชัดเจนทางแสงสําหรับโมดูล LED COB18-25 kV/mmการกันความร้อนสําหรับสายไฟฟ้า LED ความดันสูง (277V, 347V, 480V ระบบ) ไม่เป็นสีเหลืองภายใต้ความร้อน LED และการเผชิญหน้ากับ UV อย่างต่อเนื่อง การระบายความร้อนที่ดีเยี่ยมผ่าน 0.1-0.20 W/m·K เส้นทางสําหรับการจัดการอุณหภูมิ LED.
การผลิตแบบเร่งรัด
ปรับปรุงความแน่น ความแข็ง สี และโปรไฟล์การรักษาสําหรับสายการผลิต IGBT หรือ LED ของคุณตัวอย่างการประกอบตามความต้องการใน 3-5 วันทําการการผลิตชุดหลายตัน ด้วยความสม่ําเสมออย่างเข้มงวดของ ISO 9001 ทุกชุด เอกสาร MSDS และ TDS ครบถ้วนกับทุกการจัดส่ง
อิเล็กทรอนิกส์พลังงาน
หน่วยเสียไฟฟ้า≤ 4×10−3 ที่ 1 MHzรับประกันการสูญเสียพลังงานอย่างน้อยในการใช้งานสลับความถี่สูง2.5-3.0 สันติไฟฟ้า, สารผสมนี้เหมาะสําหรับ SiC และ GaN แบนด์ก๊าปขนาดใหญ่โมดูลพลังงานที่ทํางานในความถี่ที่มากกว่า 100 kHz ที่การทําความร้อนแบบ dielectric จะจํากัดการทํางาน
️ การบรรเทาความเครียดทางความร้อนสําหรับโมดูลพลังงาน
ความอ่อนโยนShore A 25 เจลยืดหยุ่นรับประทานความเครียดความไม่เหมาะสม CTE ระหว่างบัสบาร์ททองแดง สับสราตเซรามิก (Al2O3 / AlN) และซิลิโคนเจลในโมดูล IGBTป้องกันการยกสายพันธนาการและความเหนื่อยของ solder ระหว่างจักรยานพลังงานจาก -57 °C เริ่มเย็น 250 °C การเดินทางอุณหภูมิการต่อ.
การใช้งานเป้าหมาย
| การใช้งาน |
กรณีการใช้ |
ทําไม HN-8808 |
| โมดูลพลังงาน IGBT |
เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์อุตสาหกรรม อินเวอร์เตอร์การดึง, ระบบ UPS, แหล่งไฟฟ้าการปั่น |
18-25 kV / mm, Dk 2.5-30, Df ≤4×10−3, การลดความเครียด 25A |
| ระบบไฟฟ้า LED ความดันสูง |
เครื่องขับ LED 347V/480V, ไฟฟ้าสนามกีฬา, แอรไฟ LED สวน |
ใส, ไม่เหลือง, น้ําหนักเบา 0.98 ช่องทางความร้อน |
| การบรรจุสารครึ่งตัวนําพลังงาน |
โมดูล SiC MOSFET แพคเกจ GaN HEMT กลมไดโอเดสพลังงาน |
Df ต่ําที่ 1MHz สําหรับการสวิตช์ 100kHz+ สอดคล้องกับแบนด์เกปขนาดใหญ่ |
| พลังงานไฟฟ้าอุตสาหกรรม |
SMPS พลังงานสูง เครื่องแปลงพลังงานรถไฟฟ้า โมดูลสถานีชาร์จ EV |
การรักษาเร็ว 8-12 ชั่วโมง อายุการใช้งาน 1-2 ชั่วโมง ระยะ -57 °C ถึง 250 °C |
รายละเอียดเทคนิค
| อสังหาริมทรัพย์ |
มูลค่า |
| ลักษณะ |
น้ําเหลวโปร่ง / ขาว / สีเทา |
| ความแน่น A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| น้ําหนักเฉพาะ |
0.98 |
| ความแข็ง |
Shore A 25 (เจลยืดหยุ่น) |
| ความแข็งแรงแบบดียิเลคทริก |
18-25 kV/mm |
| ความต้านทานในปริมาณ |
≥1×1014 Ω·cm |
| สัตถีไฟฟ้าดายเลคทริก (1MHz) |
2.5-3.0 |
| การสูญเสียไฟฟ้าหมุน (1MHz) |
≤4×10−3 |
| ความสามารถในการนําความร้อน |
0.1-0.20 W/m·K |
| เวลาทํางานที่ 25°C |
1-2 ชั่วโมง |
| ระยะเวลาการรักษาที่ 25°C |
8-12 ชั่วโมง |
| ระยะอุณหภูมิ |
-57°C ถึง 250°C |
IGBT & LED ODM โปรแกรมแก้ไข
โปรโมชั่นไฟฟ้าดิบ, ความร้อน, และความเร็วการรักษา สําหรับโหลดพลังงานหรือการใช้งาน LED ของคุณ โรงงานที่ได้รับการรับรอง ISO 9001 40,000 m2ชุดตัวอย่างใน 3-5 วันทําการ
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
คะแนนโดยรวม
รูปฉบับการจัดอันดับ
ต่อไปนี้คือการกระจายการจัดอันดับทั้งหมดรีวิวทั้งหมด