Nhà > Các sản phẩm >
Hợp chất rót silicon
>
Huyết hợp silicone nén nhanh minh bạch HN-8808 25A ODM cho bảo vệ bao phủ LED IGBT Module

Huyết hợp silicone nén nhanh minh bạch HN-8808 25A ODM cho bảo vệ bao phủ LED IGBT Module

Chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: Quảng Đông, Trung Quốc
Hàng hiệu: Hanast
Chứng nhận: RoHS, REACH
Số mô hình: HN-8808
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Quảng Đông, Trung Quốc
Hàng hiệu:
Hanast
Chứng nhận:
RoHS, REACH
Số mô hình:
HN-8808
Mẫu sản phẩm:
HN-8808
Tỷ lệ trộn:
10:1 (A:B theo trọng lượng)
Vẻ bề ngoài:
Chất lỏng trong suốt / trắng / xám
Độ nhớt a:
2000 mPa·s
Độ nhớt b:
50 mPa·s
Trọng lượng riêng:
0,98
độ cứng:
Shore A 25 (gel dẻo)
Độ bền điện môi:
18-25 kV/mm
Điện trở suất:
≥1×10^14 Ω·cm
Hằng số điện môi (1 MHz):
2,5-3,0
Mất điện môi (1 MHz):
4×10^-3
Độ dẫn nhiệt:
0,1-0,20 W/m·K
Thời gian hoạt động ở 25°C:
1-2 giờ
Thời gian bảo dưỡng ở 25°C:
8-12 giờ
Phạm vi nhiệt độ:
-57°C đến 250°C
Làm nổi bật:

High Light

Làm nổi bật:

Chất chứa thuốc nhanh minh bạch

,

IGBT Module LED Encapsulant

,

Dải silicone ODM 25A linh hoạt

Thông tin giao dịch
Số lượng đặt hàng tối thiểu:
1 bộ
Giá bán:
Có thể đàm phán
chi tiết đóng gói:
Thùng nhựa 10kg/20kg, thùng carton sóng xuất khẩu.
Thời gian giao hàng:
3-5 ngày làm việc đối với mẫu, 7-15 ngày đối với đơn hàng số lượng lớn
Điều khoản thanh toán:
T/T, L/C, PayPal, WU
Khả năng cung cấp:
500kg/tháng
Mô tả sản phẩm
Huyết hợp silicone nén nhanh minh bạch HN-8808 25A ODM cho bảo vệ bao phủ LED IGBT Module
Huyết hợp silicone nếp nhăn trong suốt và cứng nhanh HN-8808
HN-8808 làhợp chất silicon 2 thành phần trong suốt, cứng nhanhtối ưu hóa choLắp bọc mô-đun năng lượng IGBTvà điện áp caoBảo vệ mảng LED. đạt được sự chữa lành hoàn toàn trong8-12 giờ ở nhiệt độ phòngvới thời gian hoạt động 1-2 giờ, cân bằng tốc độ sản xuất với thời gian làm việc đầy đủ.Khả năng điện đệm 18-25 kV/mm, hằng số điện bao trùm 2,5-3,0 thấp, và Shorre A 25 giảm căng thẳng linh hoạt làm cho nó lý tưởng cho các tập hợp bán dẫn công suất.Tùy chỉnh ODMtừ cơ sở rộng 40.000 m2 ở Thâm Quyến.
Các đặc điểm chính
IGBT Module Optimized Insulation (Mô-đun cách điện tối ưu hóa)
Được thiết kế đặc biệt choLắp bọc mô-đun năng lượng IGBTnơi có điện trở cao (18-25 kV/mm) và mất điện thấp (≤4 × 10−3 ở 1 MHz) là quan trọng.hằng số dielektri thấp 2,5-3,0Giảm tối thiểu khả năng ký sinh trùng và mất chuyển đổi trong mạch chuyển đổi điện tần số cao, động cơ truyền động và biến tần lực kéo.
️ 8-12 giờ điều trị trong phòng nhanh
Chữa trị hoàn toàn chỉ trong vòng một tháng.8-12 giờ ở 25 °C môi trường xung quanh✓nhanh hơn đáng kể so với nhiều công thức cạnh tranh hơn 24 giờ. Điều này làm giảm hàng tồn kho đang được tiến hành và tăng tốc độ sản xuất.Tuổi thọ nồi 1-2 giờ cho phép trộn một lô cho các bộ lắp ráp mô-đun IGBT lớn hoặc nhiều mà không phải vội.
️ Lớp phủ LED điện áp cao
Các công thức minh bạch cho phép độ rõ ràng quang học cho các mô-đun LED COB trong khi cung cấp18-25 kV/mmcách nhiệt cho các dây LED điện áp cao (277V, 347V, 480V). Không màu vàng dưới nhiệt LED và phơi nhiễm tia cực tím kéo dài. Phân rã nhiệt tuyệt vời thông qua 0.1-0.Đường dẫn 20 W/m·K để quản lý nhiệt độ nút LED.
️ Sản xuất nhanh ODM
Phụ kiện 40.000 m2 của chúng tôi với phòng thí nghiệm R & D chuyên dụng cung cấpmẫu công thức tùy chỉnh trong 3-5 ngày làm việc. Sản xuất hàng loạt nhiều tấn với sự nhất quán ISO 9001 nghiêm ngặt. MSDS đầy đủ và tài liệu TDS với mỗi lô hàng.
️ Thiết bị điện tử điện năng mất điện thấp
Tỷ lệ mất điện tử≤ 4 × 10−3 ở 1 MHzđảm bảo tiêu hao năng lượng tối thiểu trong các ứng dụng chuyển đổi tần số cao.2.5-3.0 hằng số dielectric, hợp chất này là lý tưởng cho các mô-đun điện SiC và GaN băng tần rộng hoạt động ở tần số trên 100 kHz, nếu không thì làm nóng dielektri sẽ hạn chế hiệu suất.
️ Giảm căng thẳng nhiệt cho các mô-đun điện
Cái mềm.Shore A 25 gel linh hoạthấp thụ căng thẳng không phù hợp CTE giữa các thanh bus đồng, nền gốm (Al2O3 / AlN) và chất đóng gói silicone gel trong các mô-đun IGBT.Ngăn chặn việc tháo dây liên kết và mệt mỏi hàn trong chu kỳ điện từ -57 °C khởi động lạnh đến 250 °C chuyến đi nhiệt độ nối.
Ứng dụng mục tiêu
Ứng dụng Trường hợp sử dụng Tại sao HN-8808
Các mô-đun điện IGBT Máy truyền động cơ công nghiệp, biến tần kéo, hệ thống UPS, nguồn điện hàn 18-25 kV / mm, Dk 2,5-3.0, Df ≤4×10−3, giảm căng thẳng 25A
Hệ thống đèn LED điện áp cao Các trình điều khiển LED 347V/480V, ánh sáng sân vận động, mảng LED làm vườn Xanh, không vàng, 0,98 nhẹ, đường dẫn nhiệt
Bao bì bán dẫn điện Các mô-đun SiC MOSFET, các gói GaN HEMT, các bộ diode điện Df thấp ở 1MHz cho chuyển đổi 100kHz +, tương thích với băng tần rộng
Các nguồn cung cấp điện công nghiệp SMPS công suất cao, bộ chuyển đổi điện đường sắt, mô-đun trạm sạc xe điện 8-12h chữa nhanh, 1-2h thời gian sử dụng, -57°C đến 250°C
Thông số kỹ thuật
Tài sản Giá trị
Sự xuất hiện Chất lỏng trong suốt / Trắng / Xám
Độ nhớt A / B 2000 mPa·s / 50 mPa·s
Trọng lượng cụ thể 0.98
Độ cứng Shore A 25 (gel linh hoạt)
Sức mạnh điện đệm 18-25 kV/mm
Kháng thể tích ≥1×1014 Ω·cm
Hằng số dielectric (1MHz) 2.5-3.0
Mất điện đệm (1MHz) ≤4×10−3
Khả năng dẫn nhiệt 0.1-0.20 W/m·K
Thời gian hoạt động ở 25°C 1-2 giờ
Thời gian làm cứng ở 25°C 8-12 giờ
Phạm vi nhiệt độ -57°C đến 250°C
Giải pháp IGBT & LED ODM
Các công thức điện đệm, nhiệt và tốc độ xử lý tùy chỉnh cho mô-đun năng lượng hoặc ứng dụng LED của bạn.Các lô mẫu trong 3-5 ngày làm việc.
Xếp hạng & Đánh giá

Đánh giá chung

5.0
Dựa trên 50 đánh giá cho nhà cung cấp này

Ảnh chụp nhanh về xếp hạng

Sau đây là phân phối của tất cả các xếp hạng
5 sao
100%
4 sao
0%
3 sao
0%
2 sao
0%
1 sao
0%

Tất cả các đánh giá

J
J*e
Japan Jul 20.2026
Price and quality are our top priorities—I've been in this trade for years, and they truly stand out.
J
J*e
Japan Jul 20.2026
Price and quality are our top priorities—I've been in this trade for years, and they truly stand out.