Composant de remplissage silicone transparent à durcissement rapide HN-8808 25A ODM pour module IGBT, encapsulation LED, protection
Composant de remplissage silicone transparent à durcissement rapide HN-8808
HN-8808 est un composant de remplissage silicone transparent à deux composants à durcissement rapide optimisé pour l'encapsulation de modules de puissance IGBT et la protection de réseaux de LED haute tension. Durcit complètement en 8 à 12 heures à température ambiante avec une durée de vie en pot de 1 à 2 heures, équilibrant la vitesse de production avec un temps de travail suffisant. La combinaison d'une rigidité diélectrique de 18 à 25 kV/mm, d'une faible constante diélectrique de 2,5 à 3,0 et d'une relaxation de contrainte flexible Shore A 25 en fait un produit idéal pour les assemblages de semi-conducteurs de puissance. Personnalisation ODM complète depuis notre usine de 40 000 m² à Shenzhen.
Caractéristiques principales
⚡ Isolation optimisée pour modules IGBT
Conçu spécifiquement pour l'encapsulation de modules de puissance IGBT où une tenue diélectrique élevée (18-25 kV/mm) et de faibles pertes diélectriques (≤4×10⁻³ à 1 MHz) sont critiques. La faible constante diélectrique de 2,5 à 3,0 minimise la capacité parasite et les pertes de commutation dans les circuits de conversion de puissance à haute fréquence, les entraînements de moteurs et les onduleurs de traction.
⏱️ Durcissement rapide à température ambiante en 8-12 heures
Durcissement complet de l'encapsulation en seulement 8 à 12 heures à 25 °C ambiant — nettement plus rapide que de nombreuses formulations concurrentes de plus de 24 heures. Cela réduit les stocks en cours et accélère le débit de production. La durée de vie en pot de 1 à 2 heures permet le mélange en un seul lot pour des assemblages de modules IGBT grands ou multiples sans précipitation.
💡 Encapsulation LED haute tension
La formulation transparente permet une clarté optique pour les modules COB LED tout en offrant une isolation de 18-25 kV/mm pour les chaînes LED haute tension (systèmes 277V, 347V, 480V). Ne jaunit pas sous la chaleur soutenue des LED et l'exposition aux UV. Excellente dissipation thermique via la voie de 0,1 à 0,20 W/m·K pour la gestion de la température de jonction des LED.
🏭 Production accélérée ODM
Personnalisez la viscosité, la dureté, la couleur et le profil de durcissement pour votre ligne de production IGBT ou LED. Notre usine de 40 000 m² avec laboratoire de R&D dédié fournit des échantillons de formulation personnalisée en 3 à 5 jours ouvrables. Production par lots de plusieurs tonnes avec une cohérence rigoureuse d'un lot à l'autre certifiée ISO 9001. Documentation complète MSDS et TDS avec chaque expédition.
🔬 Faibles pertes diélectriques pour l'électronique de puissance
Le facteur de perte diélectrique de ≤ 4×10⁻³ à 1 MHz assure une dissipation d'énergie minimale dans les applications de commutation à haute fréquence. Combiné à une constante diélectrique de 2,5 à 3,0, ce composé est idéal pour les modules de puissance à large bande interdite SiC et GaN fonctionnant à des fréquences supérieures à 100 kHz où le chauffage diélectrique limiterait autrement les performances.
🛡️ Relaxation de contrainte thermique pour modules de puissance
Le gel flexible Shore A 25 absorbe la contrainte de décalage CTE entre les barres omnibus en cuivre, les substrats céramiques (Al₂O₃/AlN) et l'encapsulant en gel de silicone dans les modules IGBT. Empêche le décollement des fils de liaison et la fatigue de la soudure lors des cycles de puissance, du démarrage à froid de -57 °C aux excursions de température de jonction de 250 °C.
Applications cibles
| Application |
Cas d'utilisation |
Pourquoi HN-8808 |
| Modules de puissance IGBT |
Entraînements de moteurs industriels, onduleurs de traction, systèmes UPS, alimentations de soudage |
18-25 kV/mm, Dk 2,5-3,0, Df ≤4×10⁻³, relaxation de contrainte 25A |
| Systèmes LED haute tension |
Pilotes LED 347V/480V, éclairage de stade, réseaux LED horticoles |
Transparent, ne jaunit pas, léger 0,98, voie thermique |
| Conditionnement de semi-conducteurs de puissance |
Modules MOSFET SiC, boîtiers HEMT GaN, assemblages de diodes de puissance |
Faible Df à 1 MHz pour commutation > 100 kHz, compatible large bande interdite |
| Alimentations industrielles |
SMPS haute puissance, convertisseurs de puissance ferroviaires, modules de station de recharge VE |
Durcissement rapide 8-12h, durée de vie en pot 1-2h, plage de -57 °C à 250 °C |
Spécifications techniques
| Propriété |
Valeur |
| Apparence |
Liquide transparent / blanc / gris |
| Viscosité A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Densité |
0,98 |
| Dureté |
Shore A 25 (gel flexible) |
| Rigidité diélectrique |
18-25 kV/mm |
| Résistivité volumique |
≥1×10¹⁴ Ω·cm |
| Constante diélectrique (1 MHz) |
2,5-3,0 |
| Perte diélectrique (1 MHz) |
≤4×10⁻³ |
| Conductivité thermique |
0,1-0,20 W/m·K |
| Temps de travail à 25 °C |
1-2 heures |
| Temps de durcissement à 25 °C |
8-12 heures |
| Plage de température |
-57 °C à 250 °C |
Solutions de remplissage ODM pour IGBT et LED
Formulations diélectriques, thermiques et de vitesse de durcissement personnalisées pour votre application de module de puissance ou LED. Usine certifiée ISO 9001 de 40 000 m². Lots d'échantillons en 3-5 jours ouvrables.
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