Durchsichtige schnell härtende Silicone-Potting-Verbindung HN-8808 25A ODM für IGBT-Modul-LED-Enkapselungsschutz
Transparente, schnell härtende Silicone-Potting-Verbindung HN-8808
HN-8808 ist einmit einem Gehalt an Zellstoff von mehr als 10 GHTfürVerkapselung von IGBT-Leistungsmodulenund HochspannungSchutz der LED-AnlageErreicht eine vollständige Heilung in8-12 Stunden bei RaumtemperaturDie Kombination von18-25 kV/mm Dielektrische Festigkeit, niedrige 2,5-3,0 Dielektrikkonstante, und Shorre A 25 flexible Spannungsentlastung macht es ideal für Leistung Halbleiterbaugruppen.ODM-Anpassungaus unserem 40.000 m2 großen Werk in Shenzhen.
Wesentliche Merkmale
IGBT-Modul-optimierte Isolierung
Speziell fürVerkapselung von IGBT-LeistungsmodulenDie Anwendungsbereiche für die Anwendungsbereiche "Fertigung" und "Fertigung"Niedrige 2,5-3,0 DielektrikkonstanteMinimiert parasitäre Kapazitätsverluste und Schaltverluste in Hochfrequenz-Leistungsumwandlungsschaltungen, Motorantrieben und Traktionsumrichter.
️ 8-12 Stunden Fast Room Temp Cure
Vollständige Verkapselungskur in nur8-12 Stunden bei 25 °C¢er ist wesentlich schneller als viele konkurrierende 24+-Stunden-Formulierungen, wodurch das Arbeitsbestand reduziert und der Produktionsdurchsatz beschleunigt wird.1-2 Stunden Lebensdauer ermöglicht das Mischen von einzelnen Chargen für große oder mehrere IGBT-Modulbaugruppen ohne Eile.
️ Hochspannungs-LED-Kapselung
Die transparente Formulierung ermöglicht eine optische Klarheit für LED-COB-Module, während18 bis 25 kV/mmIsolierung für Hochspannungs-LED-Streifen (277V, 347V, 480V-Systeme). Nichtgelbwertig unter anhaltender LED-Wärme und UV-Exposition. Ausgezeichnete Wärmeableitung durch den Bereich von 0,1 bis 0.20 W/m·K-Strecke für die Temperaturverwaltung von LED-Schnittstellen.
Schnellsteuerung
Schnittstelle Viskosität, Härte, Farbe und Härteprofil für Ihre IGBT- oder LED-Produktionslinie.Muster für individuelle Formulierungen in 3-5 Arbeitstagen. Mehrtonnenartige Produktion mit strenger ISO 9001-Lot-to-Lot-Konsistenz. Vollständige MSDS- und TDS-Dokumentation bei jeder Sendung.
¢ Niedrige dielektrische Verluste Leistungselektronik
Dielektrische Verlustfaktor von≤ 4 × 10−3 bei 1 MHzDies stellt eine minimale Energieabgabe in Hochfrequenz-Schaltanwendungen sicher.2.5-3.0 Dielektrikkonstante, ist diese Verbindung ideal für SiC- und GaN-Breitbandspannungsmodule geeignet, die bei Frequenzen über 100 kHz arbeiten, wenn die dielektrische Erwärmung sonst die Leistung einschränken würde.
️ Thermische Belastungsentlastung für Strommodule
Die weichenShore A 25 Flexibles Gelabsorbiert die CTE-Ausfallspannung zwischen Kupfer-Straßen, Keramik-Substraten (Al2O3/AlN) und Silikongel-Einkapselungsmittel in IGBT-Modulen.Verhindert das Abheben von Drahtbindungen und Lötmüdigkeit während des Kraftzyklus von -57 °C Kaltstart bis 250 °C Verbindungstemperatur.
Zielanwendungen
| Anwendung |
Anwendungsfall |
Warum HN-8808 |
| IGBT-Leistungsmodule |
Antriebe für industrielle Motoren, Traktionsumrichter, UPS-Systeme, Schweißstromversorgungen |
18-25 kV/mm, Dk 2,5 bis 3.0, Df ≤4×10−3, 25A Belastungsentlastung |
| Hochspannungs-LED-Anlagen |
347V/480V-LED-Treiber, Stadionbeleuchtung, LED-Gartengruppen |
Durchsichtige, nicht gelblich werdende, 0,98 kg leichte, thermische Wege |
| Verpackung von Leistungshalbleitern |
SiC-MOSFET-Module, GaN-HEMT-Pakete, Leistungsdiodenbaugruppen |
Niedriges Df bei 1 MHz für 100 kHz+-Schaltungen, breitbandkompatibel |
| Industrielle Stromversorgungen |
SMPS mit hoher Leistung, Bahnstromwandler, Ladestationemodule für Elektrofahrzeuge |
8-12h schnelle Heilung, 1-2h Lebensdauer im Topf, -57°C bis 250°C |
Technische Spezifikation
| Eigentum |
Wert |
| Aussehen |
Durchsichtige / Weiße / Graue Flüssigkeit |
| Viskosität A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Spezifische Schwerkraft |
0.98 |
| Härte |
Shore A 25 (flexibles Gel) |
| Dielektrische Festigkeit |
18 bis 25 kV/mm |
| Volumenwiderstand |
≥ 1 × 1014 Ω·cm |
| Dielektrische Konstante (1MHz) |
2.5 bis 3.0 |
| Dielektrische Verluste (1MHz) |
≤ 4 × 10−3 |
| Wärmeleitfähigkeit |
0.1-0.20 W/m·K |
| Betriebszeit bei 25°C |
1-2 Stunden |
| Haltbarkeitszeit bei 25°C |
8-12 Stunden |
| Temperaturbereich |
-57°C bis 250°C |
IGBT und LED ODM-Potting-Lösungen
Dielektrische, thermische und Heizgeschwindigkeitsformulierungen für Ihre Leistungsmodule oder LED-Anwendungen. ISO 9001-zertifizierte 40.000 m2 große Anlage.Probenchargen in 3-5 Arbeitstagen.
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