Composto siliconico trasparente a polimerizzazione rapida HN-8808 25A ODM per incapsulamento e protezione di moduli IGBT e LED
Composto siliconico trasparente a polimerizzazione rapida HN-8808
HN-8808 è un composto siliconico bicomponente trasparente a polimerizzazione rapida ottimizzato per l'incapsulamento di moduli di potenza IGBT e la protezione di array di LED ad alta tensione. Raggiunge la polimerizzazione completa in 8-12 ore a temperatura ambiente con una vita utile di 1-2 ore, bilanciando la velocità di produzione con un tempo di lavorazione sufficiente. La combinazione di resistenza dielettrica di 18-25 kV/mm, bassa costante dielettrica di 2,5-3,0 e rilassamento dello stress flessibile Shore A 25 lo rende ideale per assemblaggi di semiconduttori di potenza. Personalizzazione ODM completa dal nostro stabilimento di Shenzhen di 40.000 m².
Caratteristiche principali
⚡ Isolamento ottimizzato per moduli IGBT
Progettato appositamente per l'incapsulamento di moduli di potenza IGBT dove sono fondamentali elevata rigidità dielettrica (18-25 kV/mm) e basse perdite dielettriche (≤4×10⁻³ a 1 MHz). La bassa costante dielettrica di 2,5-3,0 minimizza la capacità parassita e le perdite di commutazione nei circuiti di conversione di potenza ad alta frequenza, negli azionamenti per motori e negli inverter di trazione.
⏱️ Polimerizzazione rapida a temperatura ambiente in 8-12 ore
Polimerizzazione completa dell'incapsulamento in sole 8-12 ore a 25 °C ambientali — significativamente più veloce di molte formulazioni concorrenti che richiedono oltre 24 ore. Ciò riduce l'inventario in lavorazione e accelera il throughput di produzione. La vita utile di 1-2 ore consente la miscelazione in un unico lotto per assemblaggi di moduli IGBT grandi o multipli senza fretta.
💡 Incapsulamento LED ad alta tensione
La formulazione trasparente consente la chiarezza ottica per moduli LED COB, fornendo al contempo 18-25 kV/mm di isolamento per stringhe LED ad alta tensione (sistemi da 277 V, 347 V, 480 V). Non ingiallisce sotto il calore prolungato dei LED e l'esposizione ai raggi UV. Eccellente dissipazione termica attraverso il percorso di 0,1-0,20 W/m·K per la gestione della temperatura di giunzione dei LED.
🏭 Produzione rapida ODM
Personalizza viscosità, durezza, colore e profilo di polimerizzazione per la tua linea di produzione IGBT o LED. Il nostro stabilimento di 40.000 m² con laboratorio R&D dedicato fornisce campioni di formulazione personalizzata in 3-5 giorni lavorativi. Produzione di lotti multi-tonnellata con rigorosa coerenza lotto-lotto certificata ISO 9001. Documentazione MSDS e TDS completa con ogni spedizione.
🔬 Bassa perdita dielettrica per elettronica di potenza
Il fattore di perdita dielettrica di ≤ 4×10⁻³ a 1 MHz garantisce una minima dissipazione di energia nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Combinato con la costante dielettrica di 2,5-3,0, questo composto è ideale per moduli di potenza a banda larga SiC e GaN che operano a frequenze superiori a 100 kHz, dove il riscaldamento dielettrico limiterebbe altrimenti le prestazioni.
🛡️ Rilassamento dello stress termico per moduli di potenza
Il gel flessibile Shore A 25 assorbe lo stress di disadattamento CTE tra barre collettrici in rame, substrati ceramici (Al₂O₃/AlN) e incapsulante in gel di silicone nei moduli IGBT. Previene il sollevamento dei legami metallici e l'affaticamento della saldatura durante il ciclo di potenza da avviamento a freddo di -57 °C a escursioni di temperatura di giunzione di 250 °C.
Applicazioni target
| Applicazione |
Caso d'uso |
Perché HN-8808 |
| Moduli di potenza IGBT |
Azionamenti per motori industriali, inverter di trazione, sistemi UPS, alimentatori per saldatura |
18-25 kV/mm, Dk 2,5-3,0, Df ≤4×10⁻³, rilassamento dello stress 25A |
| Sistemi LED ad alta tensione |
Driver LED da 347V/480V, illuminazione per stadi, array LED per orticoltura |
Trasparente, non ingiallente, leggero 0,98, percorso termico |
| Confezionamento di semiconduttori di potenza |
Moduli MOSFET SiC, package HEMT GaN, assemblaggi di diodi di potenza |
Bassa Df a 1 MHz per commutazione >100 kHz, compatibile con banda larga |
| Alimentatori industriali |
SMPS ad alta potenza, convertitori di potenza ferroviari, moduli per stazioni di ricarica EV |
Polimerizzazione rapida 8-12 ore, vita utile 1-2 ore, intervallo da -57 °C a 250 °C |
Specifiche tecniche
| Proprietà |
Valore |
| Aspetto |
Liquido trasparente / bianco / grigio |
| Viscosità A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Peso specifico |
0,98 |
| Durezza |
Shore A 25 (gel flessibile) |
| Resistenza dielettrica |
18-25 kV/mm |
| Resistività volumica |
≥1×10¹⁴ Ω·cm |
| Costante dielettrica (1MHz) |
2,5-3,0 |
| Perdita dielettrica (1MHz) |
≤4×10⁻³ |
| Conducibilità termica |
0,1-0,20 W/m·K |
| Tempo di lavorazione a 25°C |
1-2 ore |
| Tempo di polimerizzazione a 25°C |
8-12 ore |
| Intervallo di temperatura |
-57°C a 250°C |
Soluzioni di incapsulamento ODM per IGBT e LED
Formulazioni dielettriche, termiche e di velocità di polimerizzazione personalizzate per la tua applicazione di moduli di potenza o LED. Stabilimento certificato ISO 9001 di 40.000 m². Lotti campione in 3-5 giorni lavorativi.
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