Compuesto de encapsulación de silicona transparente de curado rápido HN-8808 25A ODM para encapsulación de módulos IGBT y protección de encapsulación de LED
Compuesto de encapsulación de silicona transparente de curado rápido HN-8808
HN-8808 es un compuesto de encapsulación de silicona transparente de dos componentes de curado rápido optimizado para la encapsulación de módulos de potencia IGBT y la protección de matrices de LED de alto voltaje. Alcanza el curado completo en 8-12 horas a temperatura ambiente con una vida útil de 1-2 horas, equilibrando la velocidad de producción con un tiempo de trabajo suficiente. La combinación de resistencia dieléctrica de 18-25 kV/mm, baja constante dieléctrica de 2.5-3.0 y alivio de tensión flexible Shore A 25 lo hace ideal para ensamblajes de semiconductores de potencia. Personalización ODM completa desde nuestras instalaciones de Shenzhen de 40.000 m².
Características clave
⚡ Aislamiento optimizado para módulos IGBT
Diseñado específicamente para la encapsulación de módulos de potencia IGBT donde son críticos el alto aislamiento dieléctrico (18-25 kV/mm) y la baja pérdida dieléctrica (≤4×10⁻³ a 1 MHz). La baja constante dieléctrica de 2.5-3.0 minimiza la capacitancia parásita y las pérdidas de conmutación en circuitos de conversión de potencia de alta frecuencia, variadores de motor e inversores de tracción.
⏱️ Curado rápido a temperatura ambiente en 8-12 horas
Curado completo de la encapsulación en solo 8-12 horas a 25 °C ambiente — significativamente más rápido que muchas formulaciones competidoras de más de 24 horas. Esto reduce el inventario en proceso y acelera el rendimiento de la producción. La vida útil de 1-2 horas permite la mezcla en un solo lote para ensamblajes de módulos IGBT grandes o múltiples sin prisas.
💡 Encapsulación de LED de alto voltaje
La formulación transparente permite la claridad óptica para módulos COB de LED, al tiempo que proporciona un aislamiento de 18-25 kV/mm para cadenas de LED de alto voltaje (sistemas de 277 V, 347 V, 480 V). No amarillea bajo el calor sostenido de los LED y la exposición a los rayos UV. Excelente disipación térmica a través de la vía de 0.1-0.20 W/m·K para la gestión de la temperatura de la unión del LED.
🏭 Producción rápida ODM
Personalice la viscosidad, dureza, color y perfil de curado para su línea de producción de IGBT o LED. Nuestras instalaciones de 40.000 m² con laboratorio de I+D dedicado ofrecen muestras de formulación personalizada en 3-5 días hábiles. Producción por lotes de varias toneladas con una rigurosa consistencia lote a lote ISO 9001. Documentación completa de MSDS y TDS con cada envío.
🔬 Baja pérdida dieléctrica en electrónica de potencia
El factor de pérdida dieléctrica de ≤ 4×10⁻³ a 1 MHz garantiza una disipación mínima de energía en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Combinado con la constante dieléctrica de 2.5-3.0, este compuesto es ideal para módulos de potencia de banda ancha SiC y GaN que operan a frecuencias superiores a 100 kHz, donde el calentamiento dieléctrico limitaría el rendimiento.
🛡️ Alivio de tensión térmica para módulos de potencia
El gel flexible Shore A 25 absorbe la tensión de desajuste CTE entre las barras colectoras de cobre, los sustratos cerámicos (Al₂O₃/AlN) y el encapsulante de gel de silicona en los módulos IGBT. Previene el desprendimiento de los hilos de unión y la fatiga de la soldadura durante el ciclo de potencia, desde el arranque en frío de -57 °C hasta excursiones de temperatura de unión de 250 °C.
Aplicaciones objetivo
| Aplicación |
Caso de uso |
Por qué HN-8808 |
| Módulos de potencia IGBT |
Variadores de motor industriales, inversores de tracción, sistemas UPS, fuentes de alimentación de soldadura |
18-25 kV/mm, Dk 2.5-3.0, Df ≤4×10⁻³, alivio de tensión 25A |
| Sistemas LED de alto voltaje |
Controladores LED de 347V/480V, iluminación de estadios, matrices LED hortícolas |
Transparente, no amarillea, 0.98 ligero, vía térmica |
| Embalaje de semiconductores de potencia |
Módulos MOSFET SiC, paquetes HEMT GaN, ensamblajes de diodos de potencia |
Bajo Df a 1MHz para conmutación de 100kHz+, compatible con banda ancha |
| Fuentes de alimentación industriales |
SMPS de alta potencia, convertidores de potencia ferroviarios, módulos de estaciones de carga de vehículos eléctricos |
Curado rápido de 8-12h, vida útil de 1-2h, rango de -57 °C a 250 °C |
Especificaciones técnicas
| Propiedad |
Valor |
| Apariencia |
Líquido transparente / blanco / gris |
| Viscosidad A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Gravedad específica |
0.98 |
| Dureza |
Shore A 25 (gel flexible) |
| Resistencia dieléctrica |
18-25 kV/mm |
| Resistividad volumétrica |
≥1×10¹⁴ Ω·cm |
| Constante dieléctrica (1MHz) |
2.5-3.0 |
| Pérdida dieléctrica (1MHz) |
≤4×10⁻³ |
| Conductividad térmica |
0.1-0.20 W/m·K |
| Tiempo de operación a 25 °C |
1-2 horas |
| Tiempo de curado a 25 °C |
8-12 horas |
| Rango de temperatura |
-57 °C a 250 °C |
Soluciones de encapsulación ODM para IGBT y LED
Formulaciones personalizadas de dieléctricos, térmicas y velocidad de curado para su aplicación de módulo de potencia o LED. Instalaciones de 40.000 m² certificadas ISO 9001. Lotes de muestra en 3-5 días hábiles.
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