IGBT Modülü LED Kapsülasyon Koruması için Şeffaf Hızlı Düzeltme Silikon Potting Bileşiği HN-8808 25A ODM
Şeffaf Hızlı Sertleşen Silikon Potting Bileşiği HN-8808
HN-8808 birHızlı sertleşen şeffaf iki bileşenli silikon kaplama bileşiğiiçin optimize edilmişIGBT güç modülü kapsülüve yüksek voltajlıLED dizisi koruması. tam iyileşme.Oda sıcaklığında 8-12 saat1-2 saatlik bir kazan ömrüyle üretim hızını bol çalışma süresiyle dengeleme.18-25 kV/mm dielektrik kuvveti, düşük 2.5-3.0 dielektrik sabit, ve Shorre A 25 esnek gerginlik rahatlatma gücü yarı iletken montajları için ideal yapar.ODM özelleştirmeShenzhen'deki 40.000 m2 tesisimizden.
Temel Özellikler
IGBT Modülü Optimizli İzole
Bu amaçla tasarlanmıştır.IGBT güç modülü kapsülüYüksek dielektrik direnci (18-25 kV/mm) ve düşük dielektrik kaybı (≤4×10−3 1 MHz'de) kritik olan.düşük 2,5-3,0 dielektrik sabitYüksek frekanslı güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve çekiş invertörlerinde parazit kapasitans ve anahtarlama kayıplarını en aza indirir.
8-12 saatlik hızlı oda tedavisi
Tam kapsülasyon tedavisi sadeceÇevre 25 °C'de 8-12 saatBu, devam eden çalışma stoklarını azaltır ve üretim oranını hızlandırır.1-2 saatlik kazan ömrü, acele etmeden büyük veya birden fazla IGBT modülü montajı için tek parti karıştırmayı sağlar.
Yüksek Voltajlı LED Kapsülasyonu
Şeffaf formülasyon, LED COB modülleri için optik berraklığı sağlar.18-25 kV/mmYüksek voltajlı LED dizileri için yalıtım (277V, 347V, 480V sistemleri). Sürekli LED ısısı ve UV maruziyetinde sararmaz. 0.1-0 arasında mükemmel ısı dağılımı.LED bağlantı sıcaklığı yönetimi için 20 W/m·K yol.
ODM Hızlı Çözüm
IGBT veya LED üretim hattınız için viskozluk, sertlik, renk ve sertlik profilini uyarlayın.Özel formülasyon örnekleri 3-5 iş günü içindeÇok tonluk seri üretimi, sıkı ISO 9001 seriye parti tutarlılığı, her sevkiyatla birlikte tam MSDS ve TDS belgeleri.
Düşük Dielektrik Kayıp Güç Elektronik
Dielektrik kaybı faktörü1 MHz'de ≤ 4×10−3Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında minimum enerji dağılmasını sağlar.2.5-3.0 dielektrik sabit, bu bileşik, dielektrik ısıtmanın aksi takdirde performansı sınırlayacağı 100 kHz'den yüksek frekanslarda çalışan SiC ve GaN geniş bant aralığı güç modülleri için idealdir.
️ Güç modülleri için termal stres hafifletme
Yumuşak.Shore A 25 esnek jeliBakır basbarlar, seramik substratlar (Al2O3/AlN) ve IGBT modülleri içindeki silikon jel kapsülantları arasındaki CTE uyumsuzluk stresini emiyor.-57°C soğuk başlangıçtan 250°C bağlantı sıcaklığına kadar elektrik döngüsü sırasında tel bağının kaldırılmasını ve lehim yorgunluğunu önler.
Hedef Uygulamalar
| Uygulama |
Kullanım Durumu |
Neden HN-8808 |
| IGBT Güç Modülleri |
Endüstriyel motor sürücüleri, çekiş invertörleri, UPS sistemleri, kaynak güç kaynakları |
18-25 kV/mm, Dk 2.5-3.0, Df ≤4×10−3, 25A gerginlik rahatlaması |
| Yüksek Voltajlı LED Sistemleri |
347V/480V LED sürücüler, stadyum aydınlatması, bahçecilik LED dizileri |
Şeffaf, sararmayan, 0,98 hafif, termal yol |
| Güç Yarım iletken ambalajı |
SiC MOSFET modülleri, GaN HEMT paketleri, güç diyot kümeleri |
100kHz+ geçiş için 1MHz'de düşük Df, geniş bant aralığı uyumludur |
| Endüstriyel Güç Tedarikçileri |
Yüksek güçlü SMPS, demiryolu güç dönüştürücüleri, EV şarj istasyonu modülleri |
Hızlı iyileşme süresi 8-12 saat, kap ömrü 1-2 saat, -57°C ila 250°C aralığı |
Teknik özellikler
| Mülkiyet |
Değer |
| Görünüşü |
Şeffaf / Beyaz / Gri sıvı |
| Sıvılık A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Özel Ağırlık |
0.98 |
| Sertlik |
Shore A 25 (yavaş gel) |
| Dielektrik Gücü |
18-25 kV/mm |
| Hacim direnci |
≥1×1014 Ω·cm |
| Dielektrik Sabit (1MHz) |
2.5-3.0 |
| Dielektrik Kayıp (1MHz) |
≤4×10−3 |
| Isı İleticiliği |
0.1-0.20 W/m·K |
| 25°C'de çalışma süresi |
1-2 saat |
| 25°C'de iyileştirme süresi. |
8-12 saat |
| Sıcaklık aralığı |
-57°C ile 250°C arasında |
IGBT ve LED ODM Potlama Çözümleri
Güç modülünüz ya da LED uygulamanız için özel dielektrik, termal ve kalıplama hızı formülasyonları. ISO 9001 sertifikalı 40.000 m2 tesis.Örnek partileri 3-5 iş günü içinde.
Genel Puan
Sıralama Fotoğrafı
Aşağıdaki, tüm derecelendirmelerin dağılımıdır.Tüm Yorumlar