Прозрачное быстро отверждающееся силиконовое соединение HN-8808 25A ODM для защиты капсулы IGBT-модуля LED
Прозрачное быстро отверждающееся силиконовое соединение HN-8808
HN-8808 - этопрозрачное быстро отверждающееся двухкомпонентное силиконовое соединение для горшкиОптимизирован дляКапсулирование энергомодуля IGBTи высокого напряженияЗащита светодиодного массива. достигает полного излечения в8-12 часов при комнатной температуреВ результате, в результате переработки, которая была проведена в течение двух лет, было достигнуто достижение высокого уровня производительности.Диэлектрическая прочность 18-25 кВ/мм, низкая 2,5-3,0 диэлектрическая постоянная, и Shorre A 25 гибкое облегчение напряжения делает его идеальным для мощности полупроводников сборки.Настройка ODMиз нашего завода площадью 40 000 квадратных метров в Шэньчжэне.
Ключевые особенности
Оптимизированная изоляция IGBT модуля
Специально разработан дляКапсулирование энергомодуля IGBTгде высокая диэлектрическая стойкость (18-25 кВ/мм) и низкая диэлектрическая потеря (≤4×10−3 при 1 МГц) являются критическими.низкая 2,5-3,0 диэлектрическая постояннаяминимизирует паразитическую емкость и потери переключения в высокочастотных схемах преобразования мощности, двигателях и тяговых инверторах.
️ 8-12 часов быстрого лечения в комнате
Полное инкапсулирование лекарства всего за8-12 часов при температуре окружающей среды 25 °CЭто позволяет уменьшить запас работ в процессе и ускорить объем производства.1-2-часовой срок службы горшка позволяет смешивать одну партию для больших или нескольких сборов модулей IGBT без спешки.
Включение высоковольтных светодиодных ламп
Прозрачная формулировка обеспечивает оптическую прозрачность для LED-модулей COB при доставке18-25 кВ/ммИзоляция для высоковольтных светодиодных струн (277V, 347V, 480V системы). Не пожелтевание при длительном воздействии светодиодного тепла и УФ-излучения. Отличная тепловая диссипация через 0,1-0.Путь 20 W/m·K для управления температурой соединения светодиодов.
ОУДМ - ускоренное производство
Наше 40 000 кв.м. помещение с специализированной лабораторией исследований и разработок обеспечиваетобразцы индивидуальной формулы в 3-5 рабочих днейМноготонное производство с строгой последовательностью ISO 9001 от лота к лоту. Полная документация MSDS и TDS с каждой поставкой.
️ Электроника с низкой диэлектрической потерью
Коэффициент диэлектрических потерь≤ 4×10−3 при 1 МГцобеспечивает минимальное рассеивание энергии в высокочастотных переключателях.2.5-3.0 диэлектрическая постоянная, это соединение идеально подходит для широкополосных силовых модулей SiC и GaN, работающих на частотах выше 100 кГц, где диэлектрическое нагревание в противном случае ограничивало бы производительность.
️ Уменьшение теплового напряжения для энергомодулей
МягкийШор А 25 гибкий гельпоглощает напряжение несовместимости CTE между медными штангами, керамическими субстратами (Al2O3/AlN) и силиконовым гелем в IGBT-модулях.Предотвращает оттягивание проволочных связей и усталость сварщика во время силового цикла от -57 °C холодного старта до 250 °C температуры соединения.
Целевые приложения
| Применение |
Случай использования |
Почему HN-8808 |
| Модули питания IGBT |
Промышленные двигатели привода, тяговые инверторы, системы UPS, электростанции для сварки |
18-25 кВ/мм, Dk 2,5-3.0, Df ≤4×10−3, 25A облегчение напряжения |
| Высоковольтные светодиодные системы |
347V/480V светодиодные драйверы, освещение стадионов, садовые светодиодные массивы |
Прозрачный, не пожелтеющий, легкий 0,98, тепловой путь |
| Оборудование полупроводников мощности |
Модули SiC MOSFET, пакеты GaN HEMT, агрегаты диодов питания |
Низкий Df на 1MHz для переключения на 100kHz +, совместимый с широким диапазоном |
| Промышленные источники питания |
Модули зарядных станций для электромобилей |
8-12 часов быстрого заживления, 1-2 часа жизни в горшке, диапазон от -57°C до 250°C |
Технические спецификации
| Недвижимость |
Стоимость |
| Внешний вид |
Прозрачная / Белая / Серая жидкость |
| Вязкость A / B |
2000 мПа·с / 50 мПа·с |
| Специфическая гравитация |
0.98 |
| Твердость |
Шор А 25 (гибкий гель) |
| Диэлектрическая прочность |
18-25 кВ/мм |
| Сопротивляемость объема |
≥1×1014 Ω·cm |
| Диэлектрическая постоянная (1 МГц) |
2.5-3.0 |
| Диэлектрические потери (1 МГц) |
≤ 4×10−3 |
| Теплопроводность |
00,1-0,20 Вт/м·К |
| Время работы при 25°C |
1-2 часа |
| Время отверждения при 25°С |
8-12 часов |
| Температурный диапазон |
-57°C до 250°C |
IGBT & LED ODM решения для горшки
Специальные диэлектрические, тепловые и скоростные формулы для вашего силового модуля или светодиодного приложения.Пробные партии через 3-5 рабочих дней.
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
Общий рейтинг
Оценка
Ниже представлено распределение всех рейтингов:Все отзывы