Composto de Silicone Transparente de Cura Rápida HN-8808 25A ODM para Encapsulamento de Módulos IGBT e Proteção de LEDs
Composto de Silicone Transparente de Cura Rápida HN-8808
HN-8808 é um composto de silicone de dois componentes, transparente e de cura rápida, otimizado para encapsulamento de módulos de potência IGBT e proteção de arranjos de LEDs de alta tensão. Atinge a cura completa em 8-12 horas à temperatura ambiente com um tempo de trabalho de 1-2 horas, equilibrando a velocidade de produção com tempo de trabalho suficiente. A combinação de resistência dielétrica de 18-25 kV/mm, baixa constante dielétrica de 2.5-3.0 e alívio de tensão flexível Shore A 25 o torna ideal para conjuntos de semicondutores de potência. Personalização ODM completa de nossa fábrica de 40.000 m² em Shenzhen.
Principais Características
⚡ Isolamento Otimizado para Módulos IGBT
Projetado especificamente para encapsulamento de módulos de potência IGBT onde alta rigidez dielétrica (18-25 kV/mm) e baixa perda dielétrica (≤4×10⁻³ a 1 MHz) são críticas. A baixa constante dielétrica de 2.5-3.0 minimiza a capacitância parasita e as perdas de comutação em circuitos de conversão de potência de alta frequência, acionamentos de motor e inversores de tração.
⏱️ Cura Rápida em 8-12 Horas à Temperatura Ambiente
Cura completa do encapsulamento em apenas 8-12 horas a 25 °C ambiente — significativamente mais rápido do que muitas formulações concorrentes de mais de 24 horas. Isso reduz o inventário em processo e acelera o rendimento da produção. O tempo de trabalho de 1-2 horas permite a mistura em lote único para conjuntos de módulos IGBT grandes ou múltiplos sem pressa.
💡 Encapsulamento de LEDs de Alta Tensão
A formulação transparente permite clareza óptica para módulos COB de LED, ao mesmo tempo que oferece isolamento de 18-25 kV/mm para strings de LED de alta tensão (sistemas de 277V, 347V, 480V). Não amarela sob calor e exposição UV sustentados dos LEDs. Excelente dissipação térmica através do caminho de 0.1-0.20 W/m·K para gerenciamento da temperatura da junção do LED.
🏭 Produção Rápida ODM
Personalize a viscosidade, dureza, cor e perfil de cura para sua linha de produção de IGBT ou LED. Nossa fábrica de 40.000 m² com laboratório de P&D dedicado entrega amostras de formulação personalizada em 3-5 dias úteis. Produção em lotes de multi-toneladas com consistência rigorosa de lote para lote certificada ISO 9001. Documentação completa de FISPQ e FDS com cada remessa.
🔬 Baixa Perda Dielétrica em Eletrônica de Potência
O fator de perda dielétrica de ≤ 4×10⁻³ a 1 MHz garante dissipação mínima de energia em aplicações de comutação de alta frequência. Combinado com a constante dielétrica de 2.5-3.0, este composto é ideal para módulos de potência de banda larga SiC e GaN operando em frequências acima de 100 kHz, onde o aquecimento dielétrico limitaria o desempenho.
🛡️ Alívio de Tensão Térmica para Módulos de Potência
O gel flexível Shore A 25 macio absorve a tensão de incompatibilidade CTE entre barras de barramento de cobre, substratos cerâmicos (Al₂O₃/AlN) e o encapsulante de gel de silicone em módulos IGBT. Previne o descolamento de bond de fio e a fadiga de solda durante o ciclo de potência, desde o partida a frio de -57°C até excursões de temperatura de junção de 250°C.
Aplicações Alvo
| Aplicação |
Caso de Uso |
Por que HN-8808 |
| Módulos de Potência IGBT |
Acionamentos de motor industriais, inversores de tração, sistemas UPS, fontes de alimentação de solda |
18-25 kV/mm, Dk 2.5-3.0, Df ≤4×10⁻³, alívio de tensão 25A |
| Sistemas de LED de Alta Tensão |
Drivers de LED de 347V/480V, iluminação de estádios, arranjos de LED para horticultura |
Transparente, não amarela, 0.98 leve, caminho térmico |
| Embalagem de Semicondutores de Potência |
Módulos MOSFET SiC, pacotes GaN HEMT, conjuntos de diodos de potência |
Baixo Df a 1MHz para comutação de 100kHz+, compatível com banda larga |
| Fontes de Alimentação Industriais |
SMPS de alta potência, conversores de energia ferroviária, módulos de estação de carregamento de VE |
Cura rápida de 8-12h, tempo de trabalho de 1-2h, faixa de -57°C a 250°C |
Especificações Técnicas
| Propriedade |
Valor |
| Aparência |
Líquido Transparente / Branco / Cinza |
| Viscosidade A / B |
2000 mPa·s / 50 mPa·s |
| Densidade |
0.98 |
| Dureza |
Shore A 25 (gel flexível) |
| Resistência Dielétrica |
18-25 kV/mm |
| Resistividade Volumétrica |
≥1×10¹⁴ Ω·cm |
| Constante Dielétrica (1MHz) |
2.5-3.0 |
| Perda Dielétrica (1MHz) |
≤4×10⁻³ |
| Condutividade Térmica |
0.1-0.20 W/m·K |
| Tempo de Operação a 25°C |
1-2 horas |
| Tempo de Cura a 25°C |
8-12 horas |
| Faixa de Temperatura |
-57°C a 250°C |
Soluções de Encapsulamento ODM para IGBT e LED
Formulações personalizadas de dielétricos, térmicas e velocidade de cura para sua aplicação de módulo de potência ou LED. Fábrica certificada ISO 9001 de 40.000 m². Lotes de amostra em 3-5 dias úteis.
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