Composto de envasamento de silicone RTV de baixa viscosidade, dois componentes 1:1 para encapsulamento de pilha de carregamento do módulo de potência IGBT

Visão geral do produto

O HN-8806 é um composto de silicone de baixa viscosidade RTV de dois componentes de cura de adição 1:1 desenvolvido especificamente paraModulo de potência IGBT encapsulado e proteção eletrônica da pilha de carregamento EVCom a sua capacidade de fluxo de 4500-5000 mPa·s, penetra em conjuntos de PCBs densamente embalados e sub-enche componentes altos com facilidade, ideal para módulos de energia de alta tensão, adaptadores de carregamento rápido,e vedação do pacote de baterias• Proporciona condutividade térmica de 0,76 W/m·K, retardância de chama UL 94 V-0 e resistência dielétrica de 18-25 kV/mm para aplicações eletrônicas de potência exigentes.Compatível com o RoHS e o REACH com fornecimento em granel direto da fábrica disponível.

Características-chave para aplicações IGBT e pilhas de carregamento

• ✅4500-5000 mPa·s Baixa viscosidade¢ Fluência superior para penetração completa de PCB em torno de módulos IGBT, transformadores e conjuntos SMD densos sem bolsas de ar presas
• ✅0.76 W/m·K Conductividade térmica¢ Dispersão de calor fiável dos semicondutores de potência IGBT e transformadores de alta frequência nas estações de carregamento rápido
• ✅Força dielétrica de 18-25 kV/mm¢ Isolamento crítico de alta tensão para arquiteturas de carregamento de veículos elétricos de 800 V e módulos de potência de alta tensão
• ✅UL 94 V-0 Retardante de Chama¢ Conformidade obrigatória em matéria de segurança para a infraestrutura pública de carregamento de veículos eléctricos instalada em estacionamentos e edifícios comerciais
• ✅1Ratio de mistura com 0,3-0,4 h Duração de conservaçãoOtimizar o tempo de trabalho para a colocação manual e automatizada de grandes módulos de energia de carga
• ✅-50°C a 250°C Intervalo de temperatura¢ Desempenho estável das estações de carregamento no inverno no Ártico até aos centros de carregamento a energia solar no deserto
• ✅Baixo encolhimento e não corrosivo¢ Nulo de tensão nas ligações de fios IGBT e nas junções sensíveis dos semicondutores de potência durante o curado
• ✅Curagem de secção profunda∆ Curado uniforme através de secções grossas em transformadores de alta tensão e conjuntos de inductores

Especificações técnicas

Aplicações-alvo

Como usar Guia de aplicação

1. Preparação da superfície:Limpe cuidadosamente o módulo IGBT ou o substrato de PCB e certifique-se de que as superfícies estão livres de óleo, poeira e umidade para uma aderência ideal.
2. Mistura:Pesar a parte A e a parte B na proporção 1:1. Misturar cuidadosamente durante 2-3 minutos com uma ferramenta de agitação limpa até obter uma cor cinzenta uniforme.
3. Desgaseamento a vácuo (recomendado):Para módulos IGBT de alta tensão, desgasear o composto misturado durante 5 a 10 minutos para eliminar as bolhas de ar presas.
4. Potting:Despeje o composto misturado lentamente na caixa, permitindo que o material de baixa viscosidade flua ao redor e sob os componentes.
5. Curagem:Curado à temperatura ambiente: 4-12 horas. Curado por aceleração térmica: aproximadamente 12 minutos a 80°C para linhas de produção de elevado rendimento.
6. Produção automatizada:Utilize uma bomba de medição com misturador estático para distribuição contínua.

Embalagem e fornecimento

Embalagem padrão: 20kg/tambor e 200kg/tambor com revestimento interno à prova de umidade de nível de exportação. MOQ: 20kg. Capacidade mensal: 50.000kg da nossa base de fabricação de 40.000 m2 em Guangdong, China.Período de validade: 6 meses em armazenamento seco e fresco a temperatura ambiente.Contacte-nos para preços de volume, ajustes de viscosidade personalizados e amostras de avaliação gratuitas.