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Compuesto de relleno de silicona RTV de baja viscosidad de dos componentes 1:1 para encapsulación de pila de carga de módulo de potencia IGBT

Compuesto de relleno de silicona RTV de baja viscosidad de dos componentes 1:1 para encapsulación de pila de carga de módulo de potencia IGBT

Detalles del producto:
Lugar de origen: Cantón, China
Nombre de la marca: HANAST
Certificación: UL 94 V-0, RoHS, REACH
Número de modelo: HN-8806
Información detallada
Lugar de origen:
Cantón, China
Nombre de la marca:
HANAST
Certificación:
UL 94 V-0, RoHS, REACH
Número de modelo:
HN-8806
Tipo de producto:
Silicona de curado por adición de dos componentes RTV de baja viscosidad
Conductividad térmica:
≥0,76 W/m·K
Proporción de mezcla:
1:1 (Peso y Volumen)
Viscosidad Parte A:
4500~5000 mPa·s a 25°C
Viscosidad Parte B:
4500~5000 mPa·s a 25°C
Densidad:
1,50±0,05 g/cm³
Dureza después del curado:
Shore A 50±5 (elastómero flexible)
Tiempo de funcionamiento:
0,3-0,4 h a 25°C
Tiempo de curado:
4-12 h a 25 °C / 0,2 h a 80 °C
Resistividad de volumen:
≥1,0×10¹⁶ Ω·cm
Rigidez dieléctrica:
18-25 kV/mm
Rango de temperatura:
-50°C a +250°C
Retardante de llama:
UL 94V-0
Baja viscosidad:
4500-5000 mPa·s: excelente penetración en PCB
Aplicación objetivo:
Módulo IGBT, pila de carga, fuente de alimentación, transformador de alto voltaje, batería
Color:
Gris, blanco, negro
Resaltar:

High Light

Resaltar:

Compuesto de encapsulación de silicona RTV de baja viscosidad

,

Silicona de encapsulación de dos componentes 1:1

,

Silicona de encapsulación para módulos de potencia IGBT

Información Comercial
Cantidad de orden mínima:
20 kilogramos
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
20 kg/tambor o 200 kg/tambor, embalaje a prueba de humedad de calidad de exportación
Tiempo de entrega:
3-5 días hábiles para muestras, 7-15 días para pedidos al por mayor
Condiciones de pago:
T/T, L/C, PayPal, Western Union
Capacidad de la fuente:
500 kilogramos por mes
Descripción del producto

Descripción general del producto

HN-8806 es un compuesto de encapsulación de silicona de curado por adición RTV de dos componentes 1:1 de baja viscosidad, especialmente desarrollado para la encapsulación de módulos de potencia IGBT y la protección de componentes electrónicos de estaciones de carga de vehículos eléctricos.Con su fluidez de 4500-5000 mPa·s, penetra en ensamblajes de PCB densamente empaquetados y rellena componentes altos con facilidad, ideal para módulos de potencia de alto voltaje, adaptadores de carga rápida y sellado de paquetes de baterías. Ofrece una conductividad térmica de 0,76 W/m·K, retardancia a la llama UL 94 V-0 y una resistencia dieléctrica de 18-25 kV/mm para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia. Cumple con RoHS y REACH, con suministro a granel directo de fábrica disponible.Características clave para aplicaciones de IGBT y estaciones de carga

  • Curado en secciones profundas — Fluidez superior para una penetración completa de la PCB alrededor de módulos IGBT, transformadores y ensamblajes SMD densos sin bolsas de aire atrapadas
  • Curado en secciones profundas — Disipación de calor fiable de semiconductores de potencia IGBT y transformadores de alta frecuencia en estaciones de carga rápida
  • Curado en secciones profundas — Aislamiento crítico de alto voltaje para arquitecturas de carga de VE de 800 V y módulos de potencia de alto voltaje
  • Curado en secciones profundas — Cumplimiento de seguridad obligatorio para infraestructura de carga de VE pública instalada en estacionamientos y edificios comerciales
  • Curado en secciones profundas — Tiempo de trabajo optimizado para el encapsulado manual y automatizado de grandes módulos de potencia de estaciones de carga
  • Curado en secciones profundas — Rendimiento estable desde estaciones de carga de invierno ártico hasta centros de carga con energía solar en el desierto
  • Curado en secciones profundas — Cero estrés en los enlaces de alambre de los IGBT y las uniones sensibles de los semiconductores de potencia durante el curado
  • Curado en secciones profundas — Curado uniforme a través de secciones de encapsulado gruesas en ensamblajes de transformadores e inductores de alto voltajeEspecificaciones técnicas

Parámetro

Parte A Parte B Apariencia (antes del curado)
Fluido gris Fluido blanco Viscosidad a 25 °C
4500~5000 mPa·s Densidad a 25 °C Densidad a 25 °C
1,50±0,05 g/cm³ Relación de mezcla (A:B) Relación de mezcla (A:B)
1:1 (en peso y volumen) Tiempo de operación
0,3-0,4 h a 25 °C Condición de curado
4-12 h a 25 °C / 0,2 h a 80 °C Propiedad (después del curado)
Valor Estándar de prueba Apariencia
Elastómero gris Visual Dureza
Shore A 50±5 GB/T 531.1-2008 Conductividad térmica
≥0,76 W/m·K GB/T 10297-1998 Resistividad volumétrica
≥1,0*10¹⁶ Ω·cm GB/T 1692-92 Resistencia dieléctrica
18-25 kV/mm GB/T 1693-2007 Absorción de humedad (24h, 25 °C)
0,01-0,02% GB/T 8810-2005 Expansividad
210 µm/(m·°C) GB/T 20673-2006 Resistencia a la temperatura
-50 a +250 °C Medido Retardancia a la llama
UL 94 V-0 (muestra de 3 mm) UL 94 Aplicaciones objetivo

⚡ Módulo de potencia IGBT

Encapsula módulos IGBT en inversores, variadores de motor y convertidores de potencia. La baja viscosidad garantiza un relleno completo debajo de los sustratos de semiconductores de potencia.

🔌 Estación de carga de VE

Protege los módulos de potencia de las estaciones de carga AC/DC contra la humedad, el polvo y las vibraciones en la infraestructura de carga pública exterior. UL 94 V-0 para la seguridad en entornos construidos.

🔋 Paquete de baterías y adaptador

Sella placas BMS de paquetes de baterías, adaptadores de carga rápida y transformadores de alto voltaje contra la entrada ambiental y los ciclos térmicos.

Cómo usar — Guía de aplicación

Preparación de la superficie:

  1. Limpie a fondo el módulo IGBT o el sustrato de la PCB. Asegúrese de que las superficies estén libres de aceite, polvo y humedad para una adhesión óptima.Mezcla:
  2. Pese la Parte A y la Parte B en una proporción de 1:1. Mezcle bien durante 2-3 minutos con una herramienta de agitación limpia hasta obtener un color gris uniforme.Desgasificación al vacío (recomendado):
  3. Para módulos IGBT de alto voltaje, desgasifique al vacío el compuesto mezclado durante 5-10 minutos para eliminar las burbujas de aire atrapadas.Encapsulado:
  4. Vierta el compuesto mezclado lentamente en la carcasa, permitiendo que el material de baja viscosidad fluya alrededor y debajo de los componentes. Para módulos de potencia grandes, se recomienda el encapsulado por etapas.Curado:
  5. Curado a temperatura ambiente: 4-12 horas. Curado acelerado por calor: aproximadamente 12 minutos a 80 °C para líneas de producción de alto rendimiento.Producción automatizada:
  6. Utilice una bomba dosificadora con mezclador estático para una dispensación continua. Pre-desgasifique al vacío la Parte A y la Parte B por separado antes de bombear para obtener resultados sin burbujas.Embalaje y suministro

Embalaje estándar: tambor de 20 kg y tambor de 200 kg con revestimiento interior a prueba de humedad de grado de exportación. MOQ: 20 kg. Capacidad mensual: 50.000 kg desde nuestra base de fabricación de 40.000 m² en Guangdong, China. Vida útil: 6 meses en almacenamiento fresco y seco a temperatura ambiente. Productos no tóxicos, no peligrosos enviados bajo manejo general de productos químicos. Se proporcionan certificados MSDS y TDS con cada pedido. Contáctenos para precios por volumen, ajustes de viscosidad personalizados y muestras de evaluación gratuitas.

Clasificaciones y revisión

Calificación general

5.0
Based on 50 reviews for this supplier

Imagen de calificación

La siguiente es la distribución de todas las calificaciones
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100%
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3 estrellas
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2 estrellas
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1 estrellas
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Todas las reseñas

J
J*e
Japan Jul 20.2026
Price and quality are our top priorities—I've been in this trade for years, and they truly stand out.
J
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